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1 - 20 Resultados para transistor do rf A partir de 3588 Produtos

CYW20730A2KML2GT Pacote forWireless 32-QFN dos dispositivos entrados do transceptor de Bluetooth da Único-microplaqueta dos transistor de poder do RF ......

Time : Jul,10,2023
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Amplificador de potência do amplificador 2.4GHz 802.11b/g/n WLAN de TXtelsig YP242434 Wifi RF O YP242434 é um amplificador de potência de alta pot......

Time : Jul,21,2023
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Time : Sep,17,2023
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FET internamente combinado da X-faixa do transistor de poder de FLM0910-25F RF DESCRIÇÃO O FLM0910-25F é um FET do GaAs do poder que esteja internamen......

Time : Nov,03,2023
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Circuitos integrados N/A SD1480 do microcontrolador de IC MCU dos componentes SD1480 eletrônicos #detail_decorate_root .magic-0{border-bottom-style......

Time : Aug,01,2023
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Categoria de produto: Retificadores Montando o estilo: Através do furo Pacote/caso: TO-220-3 Vr - tensão reversa: 400 V Se - corrente dianteira: 6 A ......

Time : Sep,07,2023
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TRANSISTOR PARA DE BAIXO NÍVEL DE RUÍDO, AMPLIFICAÇÃO DO RF DO SILICONE DE 2SC5508-T2B NPN DO ALTO-GANHO CARACTERÍSTICAS • Ideal para de baixo nível ......

Time : Jul,25,2023
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Nome do produto: PD57018-E Fabricante: STMicroelectronics Categoria de produto: Transistor do efeito de campo do semicondutor de óxido de metal do RF ......

Time : Sep,10,2023
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MOSFET discreto SI7615ADN-T1-GE3 do transporte do transistor de poder de Vishay RF Especificações de produto: SI7615ADN.pdf Especificações SI7615ADN......

Time : Sep,13,2023
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TRANSISTOR M68702H DO MOSFET DO PODER DE 150-175MHZ RF PARA O RÁDIO MÓVEL DE FM Circunstância: Produto brandnew de 100% Estado da parte: Ativo Pacote: ......

Time : Aug,17,2023
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MOSFETS do transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF O PD85035-E é um N-canal da fonte comum, poder lateral do RF do efeito de campo ......

Time : Aug,08,2023
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Montagem de superfície SOT-223 S525T de VISHAY IC S525T-GS08 Produto Paramenters Fabricante: Vishay Categoria de produto: Transistor do MOSFET do RF ......

Time : Aug,19,2023
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SSM6N48FU, RF (especificações de D Estado da parte Obsoleto Tipo do FET N-canal 2 (duplo) Característica do FET Porta do nível da lógica, movimentação ......

Time : Sep,09,2023
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99,5% a carcaça de BeO Beryllia para materiais cerâmicos cerâmicos do óxido do berílio do PWB (BeO) está na alta demanda devido a seu desempenho ......

Time : Jan,14,2022
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Detalhe do produto 1. Bens conservados em estoque, da ordem ou boa vinda de fabricação. 2. Ordem da amostra. 3. Nós respondê-lo-emos para seu inqu......

Time : Aug,28,2023
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Montagem da superfície do transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW do RF dos transistor de BFS505 NPN PNP NPN transistor do wideband de 9 gigahertz CARACTER......

Time : Nov,20,2020
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O general descrição do MOSFET do N-canal de AOD442/AOI442 60V O AOD442/AOI442 usou tecnologia avançada da trincheira para fornecer R excelente DS ......

Time : Jan,09,2020
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N-canal 600 V do Mosfet do transistor de poder STWA65N60DM6 do Mosfet, tipo de 0,084 ohms., 30 uma característica do poder TO-247 de MDmesh DM6 • ......

Time : Sep,30,2019
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