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Canal 40V 25A 49A 2.5W 104W da microplaqueta N de IC do transistor de 8-PQFN FDMS8460

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SZ ADE Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrAndy
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Canal 40V 25A 49A 2.5W 104W da microplaqueta N de IC do transistor de 8-PQFN FDMS8460

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Number modelo :FDMS8460
Lugar de origem :original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :100.000
Prazo de entrega :dias 1-3working
Detalhes de empacotamento :Caixa da caixa
Drene à tensão da fonte (Vdss) :40 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :25A (Ta), 49A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :2.2mOhm @ 25A, 10V
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :110 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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N-canal 40 V 25A 49A 2.5W 104W 8-PQFN da microplaqueta de IC do transistor FDMS8460 (5x6)

 

Características de FDMS8460

 

• RDS máximo (sobre) = 2,2 m em VGS = 10 V, identificação = 25 A
• RDS máximo (sobre) = 3,0 m em VGS = 4,5 V, identificação = 21,7 A
• Combinação avançada do pacote e do silicone para o baixo RDS (sobre)
• Projeto de pacote MSL1 robusto
• 100% UIL testou
• RoHS complacente

 

Atributos de produto de FDMS8460

 

Produto
FDMS8460
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
40 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
25A (Ta), 49A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
7205 PF @ 20 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote/caso
8-PowerTDFN
Número baixo do produto
FDMS84

 

Aplicações de FDMS8460

 

Conversão de DC−DC

 

Classificações ambientais & da exportação de FDMS8460
ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Estado de RoHS ROHS3 complacente
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) 1 (ilimitado)
Estado do ALCANCE ALCANCE não afetado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

 

Descrição geral de FDMS8460

 

Este MOSFET de N−Channel é utilização produzida no processo avançado do POWERTRENCH® do semicondutor que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do on−state no entanto para manter o desempenho de comutação superior.

Canal 40V 25A 49A 2.5W 104W da microplaqueta N de IC do transistor de 8-PQFN FDMS8460

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