SZ ADE Electronics Co. , Ltd

Honest and trustworthy, hand in hand, customer trust is the life of ADE.

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
3 Anos
Casa / Produtos / EMMC Memory Chip /

CIRCUITO 8VSSOP do GP 2 do chip de memória OPAMP de TLV9152QDGKRQ1 EMMC

Contate
SZ ADE Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrAndy
Contate

CIRCUITO 8VSSOP do GP 2 do chip de memória OPAMP de TLV9152QDGKRQ1 EMMC

Pergunte o preço mais recente
Number modelo :TLV9152QDGKRQ1
Lugar de origem :original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :T/T, L/C
Capacidade da fonte :100.000
Prazo de entrega :dias 1-3working
Detalhes de empacotamento :Caixa da caixa
Estado do produto :Ativo
Tipo do amplificador :Uso geral
Número de circuitos :2
Tipo da saída :Trilho-à-trilho
Taxa de pântano :20V/µs
Produto da largura de banda do ganho :4,5 megahertz
Atual - polarização entrada :Pa 10
Tensão - offset entrado :µV 125
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto
TLV9152QDGKRQ1 Chip de memória Emmc Ic Opamp Gp 2 Circuito 8vssop
Amplificador de Uso Geral 2 Circuito Rail-to-Rail 8-VSSOP

Especificações deTLV9152QDGKRQ1

TIPO DESCRIÇÃO
Categoria Circuitos Integrados (CIs)
Linear
Amplificadores
Instrumentação, OP Amps, Buffer Amps
Mfr Instrumentos Texas
Series Automotivo, AEC-Q100
Pacote Fita e Carretel (TR)
Fita Cortada (CT)
Digi-Reel®
Status do produto Ativo
Tipo de amplificador Propósito geral
Número de circuitos 2
Tipo de saída Trilho para trilho
Taxa de giro 20V/µs
Ganho Produto de Largura de Banda 4,5 MHz
Corrente - Viés de entrada 10 pA
Tensão - Compensação de entrada 125 µV
Atual - Fornecimento 560µA (x2 Canais)
Corrente - Saída / Canal 75mA
Tensão - Extensão de Fornecimento (Min) 2,7 V
Tensão - Extensão de Fornecimento (Máx.) 16 V
Temperatura de operação -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Pacote / Estojo 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura)
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-VSSOP

Características deTLV9152QDGKRQ1

• AEC-Q100 qualificado para aplicações automotivas
– Grau de temperatura 1: –40°C a +125°C, TA
– Nível de classificação 3A do dispositivo HBM ESD
– Nível de classificação C6 do dispositivo CDM ESD
• Baixa tensão de deslocamento: ±125 µV
• Baixo desvio de tensão de deslocamento: ±0,3 µV/°C
• Baixo ruído: 10,8 nV/√Hz a 1 kHz
• Alta rejeição de modo comum: 120 dB
• Baixa corrente de polarização: ±10 pA
• Entrada e saída trilho a trilho
• Ampla largura de banda: GBW de 4,5 MHz
• Alta taxa de variação: 21 V/µs
• Baixa corrente quiescente: 560 µA por amplificador
• Fornecimento amplo: ±1,35 V a ±8 V, 2,7 V a 16 V
• Desempenho EMIRR robusto: filtros EMI/RFI nos pinos de entrada

Formulários deTLV9152QDGKRQ1

• Otimizado para aplicações AEC-Q100 grau 1
• Infoentretenimento e cluster
• Segurança passiva
• Eletrônica e iluminação da carroceria
• Inversor HEV/EV e controle do motor
• On-board (OBC) e carregador sem fio
• Sensor de corrente do trem de força
• Sistemas avançados de assistência ao motorista (ADAS)
• Detecção de corrente alta e baixa

Classificações Ambientais e de Exportação deTLV9152QDGKRQ1

ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Não aplicável
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1 (Ilimitado)
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

CIRCUITO 8VSSOP do GP 2 do chip de memória OPAMP de TLV9152QDGKRQ1 EMMC

Inquiry Cart 0