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IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

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SZ ADE Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

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Número do modelo :IS46TR16256AL-125KBLA2
Local de origem :Original
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :100.000
Tempo de entrega :dias 1-3working
Detalhes da embalagem :Caixa da caixa
Tipo da memória :Atividade
Formato da memória :GOLE
Tecnologia :SDRAM - DDR3L
Tamanho de memória :4Gbit
Organização da memória :256M x 16
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :800 MHz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :15ns
Tempo de acesso :20 ns
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  IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 ns 96-TWBGA

 

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

 

Especificações de IS46TR16256AL-125KBLA2

 

TÍPO Descrição
Categoria Circuitos integrados (CI)
Memória
Mfr ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
Série -
Pacote Caixa
Estatuto do produto Obsoletos
Tipo de memória Volátil
Formato de memória DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR3L
Tamanho da Memória 4Gbit
Organização da memória 256M x 16
Interface de memória Paralelo
Frequência do relógio 800 MHz
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página 15n
Tempo de acesso 20 ns
Voltagem - Fornecimento 1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 96-TFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor 96-TWBGA (9x13)
Número do produto de base IS46TR16256

 
Característicasde
IS46TR16256AL-125KBLA2


* Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Baixa tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatível com 1.5V
* Taxas de transferência de dados de alta velocidade com frequência de sistema até 1066 MHz
* 8 bancos internos para operação simultânea
* Arquitetura de pré-recolha de 8n-bit
* Latência CAS programável
* Latência aditiva programável: 0, CL-1, CL-2
* Latência de gravação de CAS programável (CWL) baseada em tCK
* Duração de explosão programável: 4 e 8
* Sequência de explosão programável: Sequencial ou Interleave
* BL comutação no vôo
* Auto auto-refresque (ASR)
* Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
* Intervalo de atualização:
- 7,8 us (8192 ciclos/ 64 ms) Tc= -40°C a 85°C
- 3,9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
* Auto-refrescamento de matriz parcial
* Pin ASINcrônico de RESET
* TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
* OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
* ODT dinâmico (terminação instantânea)
* Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Escrever nivelamento
* Até 200 MHz no modo DLL desligado
* Temperatura de funcionamento:
- Comercial (TC = 0°C a +95°C)
- Industrial (TC = -40°C a +95°C)
- Automóveis, A1 (TC = -40°C a +95°C)
- Automóveis, A2 (TC = -40°C a +105°C)

 

 

AplicaçõesdeIS46TR16256AL-125KBLA2


Configuração:
- 512Mx8
- 256Mx16
Embalagem:
- 96-bola BGA (9mm x 13mm) para x16
- 78-bola BGA (9mm x 10,5mm) para x8

 

 

Classificações ambientais e de exportação deIS46TR16256AL-125KBLA2

 

Atributo Descrição
Estatuto da RoHS Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL) 3 (168 horas)
Estatuto REACH REACH Não afectado
Nomenclatura EAR99
HTSUS 8542.32.0036

 

IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memória IC 4Gbit Paralelo 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

 

  
 

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