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MJD45H11G

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Cidade:hong kong
País / Região:china
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MJD45H11G

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Polaridade do transistor :PNP
Categoria de produtos :Transistor bipolares - BJT
Estilo de montagem :SMD/SMT
Corrente Máxima do Coletor DC :8 A
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima :80 V
Embalagem / Caixa :TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamento :+ 150 C
Produto fT da largura de banda do ganho :90 megahertz
Configuração :Solteiro
Tensão baixa VCBO do coletor :5 V
Série :MJD45H11
Tensão baixa VEBO do emissor :5 V
Tensão de saturação do Coletor-emissor :1 V
Fabricante :semi-
Descrição :Transistores bipolares - BJT 8A 80V 20W PNP
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