IKW25N120H3
Pergunte o preço mais recente
Canal de Vídeo
corrente do escapamento do Porta-emissor :nA 600
Categoria de produtos :Transistores IGBT
Estilo de montagem :Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C :50 A
Pd - Dissipação de energia :326 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima :1200 V
Embalagem / Caixa :TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento :+ 175 C
Tensão máxima do emissor da porta :20 V
embalagem :Tubos
Configuração :Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor :2,7 V
Fabricante :Tecnologias Infineon
more
Ver descrição do produto
O IKW25N120H3, da Infineon Technologies, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!