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MJ11032G

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Cidade:hong kong
País / Região:china
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MJ11032G

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Polaridade do transistor :NPN
Categoria de produtos :Darlington Transistors
Estilo de montagem :Através do Buraco
Corrente Máxima do Coletor DC :50 A
Pd - Dissipação de energia :300 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima :120 V
Embalagem / Caixa :TO-204-2 (TO-3)
Temperatura máxima de funcionamento :+ 150 C
embalagem :Caixa
Configuração :Solteiro
Tensão baixa VCBO do coletor :120 V
Série :MJ11032
Tensão baixa VEBO do emissor :5 V
Fabricante :semi-
Descrição :Transistores Darlington 50A 120V Potência bipolar NPN
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