TGF3015-SM
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Polaridade do transistor :N-canal
Tecnologia :GaN SiC
Categoria de produtos :Transistores RF JFET
Estilo de montagem :SMD/SMT
Ganho :17.1 dB
Tipo de transistor :HEMT
Pd - Dissipação de energia :15.3 W
Embalagem / Caixa :QFN-EP-16
Potência de saída :11 W
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte :32 V
embalagem :Caixa
Identificação - corrente contínua do dreno :557 mA
Vgs - Tensão de ruptura da porta-fonte :- 2,7 V
Fabricante :Qorvo
Descrição :Transistores RF JFET.03-3GHz Ganho de 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
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