QPD1015L
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Polaridade do transistor :N-canal
Tecnologia :GaN SiC
Categoria de produtos :Transistores RF JFET
Estilo de montagem :- Vai-te lixar.
Ganho :DB 20
Tipo de transistor :HEMT
Potência de saída :70 W
Embalagem / Caixa :NI-360
Temperatura máxima de funcionamento :+ 85 C
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte :50 V
embalagem :Caixa
Identificação - corrente contínua do dreno :2,5 A
Vgs - Tensão de ruptura da porta-fonte :145 V
Pd - Dissipação de energia :64 W
Fabricante :Qorvo
Descrição :Transistores RF JFET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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