QPD3601
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Polaridade do transistor :N-canal
Tecnologia :GaN SiC
Categoria de produtos :Transistores RF JFET
Estilo de montagem :SMD/SMT
Ganho :DB 22
Tipo de transistor :HEMT
Potência de saída :180 W
Embalagem / Caixa :NI400-2
Temperatura máxima de funcionamento :+ 85 C
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte :50 V
embalagem :waffle
Tensão máxima da porta de escoamento :55 V
Identificação - corrente contínua do dreno :360 mA
Pd - Dissipação de energia :60.9 W
Fabricante :Qorvo
Descrição :Transistores RF JFET 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
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