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Informação geral
ABB 3BHE006412R0101
O IGBT (InsulatedGateBipolarTransistor), transistor bipolar de porta isolada, é um composto totalmente controlado
dispositivo semicondutor de potência acionado por tensão composto por BJT (transistor bipolar) e MOS (transistor de efeito de campo com porta isolada),
e possui alta entrada de MOSFET Tanto a impedância quanto a baixa queda de tensão de ativação do GTR. A voltagem de saturação GTR
é reduzida, a densidade de corrente é grande, mas a corrente de condução é grande; a potência motriz do MOSFET é pequena, t
A velocidade de comutação é rápida, mas a queda de tensão de condução é grande e a densidade de corrente é pequena.
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Notícias de automação
Ao mesmo tempo, a atração da indústria foi bastante aprimorada, e mais empresas terão
participar da concorrência da indústria. Prevê-se que o valor total da produção da automação industrial na China
excederá 570 bilhões de yuans em 2022.
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Sobre nós
A MOORE AUTOMATION LIMITED concentra-se em sistemas de controle, do legado à vanguarda.
Temos um grande estoque de peças do sistema de controle excedente de alta qualidade. Também distribuímos muitos novos hardwares
e produtos de software para ajudar no suporte aos sistemas de controle existentes ou na utilização da mais recente tecnologia de controle.
Contamos com equipe experiente, extensas instalações de teste e podemos oferecer garantia de 1 ano para todas as nossas peças excedentes.
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