JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)

JUUN ((H.K) JULUN CO., LTD DongGuan JULUN ELECTRONICS CO., LTD. Atividades principais: dispositivo de proteção de circuito, fusível de corrente, série de fusíveis de temperatura, série de suporte de

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transistor de efeito de campo do tubo do MOS do transistor de poder IPA80R1K4P7 de 800V CoolMOS P7

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transistor de efeito de campo do tubo do MOS do transistor de poder IPA80R1K4P7 de 800V CoolMOS P7

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Número de modelo :PG-TO 220FP
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :100 / Negociável
Termos do pagamento :L/C, D/P, T/T,
Capacidade da fonte :10000/Piece/Weekly
Tempo de entrega :7 ~ 10 dias úteis
Detalhes de empacotamento :Embalagem padrão
Processo :TO220FP
Eléctrodo :3
Polaridade :Como marcado
Posição de montagem :qualquer
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tubo do MOS do transistor de poder IPA80R1K4P7 de 800V CoolMOSª P7

 

 

 

Características
• Melhor-em-classe FOM RDS (sobre) * Eoss; Qg reduzido, Ciss, e Coss
• Melhor-em-classe DPAK RDS (sobre)
• th da Melhor-em-classe V (GS) de 3V e a variação a menor do th de V (GS) de ±0.5V
• Proteção integrada do ESD do diodo de Zener
• CRNA totalmente qualificado. JEDEC para aplicações industriais
• Portfólio inteiramente aperfeiçoado

 

Benefícios
• desempenho da Melhor-em-classe
• Permitindo projetos da densidade de poder mais alto, economias de BOM e mais baixo
custos de conjunto
• Fácil conduzir e paralelizar
• Melhore o rendimento da produção reduzindo o ESD relacionou falhas
• Menos edições da produção e retornos reduzidos do campo
• Fácil selecionar as peças direitas para ajustar-se dos projetos

 

Aplicações potenciais
Recomendado para topologias de comutação duras e macias do flyback para o diodo emissor de luz
Iluminação, carregadores da baixa potência e adaptadores, áudio, poder AUXILIAR e
Poder industrial. Também apropriado para a fase de PFC em aplicações do consumidor
e solar.

 

 

Parâmetros do desempenho chave e do pacote

 

Parâmetro Valor Unidade
VDS @ Tj=25°C 800 V
RDS (sobre), máximo 1,4 Ω
Qg.typ 10 nC
Identificação 4
Eoss@500V 0,9 μJ
VGS (th), tipo 3 V
Classe do ESD (HBM) 2 /

 

Tipo/código pedindo Pacote Marcação Relações relacionadas
IPA80R1K4P7 PG-TO 220 FullPAK 80R1K4P7 veja o apêndice A

 

 

transistor de efeito de campo do tubo do MOS do transistor de poder IPA80R1K4P7 de 800V CoolMOS P7

transistor de efeito de campo do tubo do MOS do transistor de poder IPA80R1K4P7 de 800V CoolMOS P7

AS DIMENSÕES NÃO INCLUEM O FLASH DO MOLDE, AS SALIÊNCIAS OU AS REBARBAS DA PORTA.

 

 

FAQ


Q: Que posso eu fazer se eu obtive um FUSÍVEL quebrado INC do formulário A-TEAM do produto?
: Antes de mais nada diga-nos por favor que o mais cedo possível depois que nós lhe enviaremos um novo imediatamente mas por favor nos envie o produto quebrado que .you não têm que se preocupar sobre a carga do transporte nós pagaremos por aquele.
Q; Somos nós um importador ou um fabricante?
; Nós somos um fabricante
Q: Porque você tem que nos escolher
: Segurança de alta qualidade. A maioria preço competitivo e de transporte rápido


Diga-me por favor:
Que especificações de produto você precisa? quando você pedir uma cotação. Eu dar-lhe-ei a maioria de preço competitivo por como suas exigências. E nós temos muitos tipos para você escolher.


P.S.: Se você não pode encontrar nenhuns produtos para cumprir suas exigências. dê boas-vindas para enviar-nos os desenhos de detalhes de modo que nós possamos nos proporcionar nosso serviço profissional & melhor a você.

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