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JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência

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Cidade:changzhou
Província / Estado:jiangsu
País / Região:china
Pessoa de contato:MrIvanzhu
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JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência

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Número do modelo :JY16M
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :50pcs (amostra disponível)
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :10000pcs pelo mês
Prazo de entrega :dependa da quantidade /Negotiable da ordem
Detalhes de empacotamento :série para a exportação
Tensão da Porta-fonte :±30V
Corrente contínua do dreno :4A (Ta=25°C)
Corrente pulsada do dreno :16A
Dispersão máxima de potência :33W
Cor :Negro
Shap :Quadrado
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Descrição geral:

 

O JY16M utiliza as mais recentes técnicas de processamento de trincheiras para alcançar a alta densidade de células e reduz a resistência de ligação com alta classificação de avalanche repetitiva.Estas características combinam-se para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em aplicação de comutação de energia e uma ampla variedade de outras aplicações.

 

Características:

 

● 600V/4A, RDS ((ON) =2.6Ω@VGS=10V
● Mudança rápida e recuperação do corpo para trás
● Excelente embalagem para boa dissipação de calor

 

Aplicação:

 

● Luz
● Fornecedores de energia de alta eficiência

 

Descrição do PIN:

JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência

 

Valores máximos absolutos ((Ta=25°C, salvo indicação em contrário):

 

Símbolo Parâmetro Classificação Unidade
VD.S. Voltagem da fonte de drenagem 600 V
VGS Voltagem da fonte da porta ± 30 V
Eu...D Corrente de drenagem contínua Tc=25°C 4 A
Tc=100°C 2.9
Eu...DM Corrente de drenagem pulsada 16 A
PD Dissipação máxima de energia 33 W
TJTGST Intervalo de temperatura da junção de funcionamento e do armazenamento -55~+150 °C
RΘJC Resistência térmica-juntamento com a caixa 1.56 °C/W
R- Não. Resistência térmica-junção com ambiente 62 °C/W

 

TO220F-3 Esboço do pacote:

JY16M N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para aplicação de comutação de potência

 

SÍMBOLO MM INCH SÍMBOLO MM INCH
MIN NOME Max. MIN NOME Max. MIN NOME Max. MIN NOME Max.
A 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 e 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 e1 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 L 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 250REF. 0.098REF.
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 Q 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
E 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 Θ1
E1 - 8.70 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.394 0.401              
 
 
Mais informações por favor entre em contato diretamente conosco através do e-mail: ivanzhu@junqitrading.com
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