Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

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JY14M 40V/200A N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para comutação de potência

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Cidade:changzhou
Província / Estado:jiangsu
País / Região:china
Pessoa de contato:MrIvanzhu
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JY14M 40V/200A N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para comutação de potência

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Número do modelo :JY14M
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :50pcs (amostra disponível)
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :10000pcs pelo mês
Prazo de entrega :dependa da quantidade /Negotiable da ordem
Detalhes de empacotamento :série para a exportação
Tensão da Dreno-fonte :40 V
Tensão da Porta-fonte :± 20V
Corrente contínua do dreno :200A ((Tc=25°C)
Corrente pulsada do dreno :720A
Dissipação Máxima de Potência :210W
Shap :Quadrado
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Descrição:

 

O JY14M utiliza as mais recentes técnicas de processamento de trincheiras para alcançar a alta densidade de células e reduz a resistência de ligação com alta classificação de avalanche repetitiva.Estas características combinam-se para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em aplicação de comutação de energia e uma ampla variedade de outras aplicações.

 

 

Características:

 

● 40V/200A, RDS ((ON) = 2,5mΩ@VGS=10V

● Mudança rápida e recuperação do corpo para trás

● Voltagem e corrente de avalanche totalmente caracterizadas

 

● Excelente embalagem para boa dissipação de calor

 

Aplicação:

 

● Mudança de aplicação

● Circuitos de alta frequência e de comutação rígida

 

● Gestão de energia para sistemas de inversores

 

Descrição do PIN:

 

JY14M 40V/200A N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para comutação de potência

 

Valores máximos absolutos ((Tc=25°C, salvo indicação em contrário):

 

Símbolo Parâmetro Classificação Unidade
VD.S. Voltagem da fonte de drenagem 40 V
VGS Voltagem da fonte da porta ± 20 V
Eu...D Corrente de drenagem contínua Tc=25°C 200 A
Tc=100°C 130
Eu...DM Corrente de drenagem pulsada 720 A
PD Dissipação máxima de energia 210 W
TJTGST Intervalo de temperatura da junção de funcionamento e do armazenamento -55~+175 °C
RΘJC Resistência térmica-juntamento com a caixa 0.65 °C/W
R- Não. Resistência térmica-junção com ambiente 62 °C/W

 

 

TO220-3 Esboço do pacote:

 

JY14M 40V/200A N MOSFET de potência de modo de aumento de canal para comutação de potência

 

 

SÍMBOLO MM INCH SÍMBOLO MM INCH
MIN NOME Max. MIN NOME Max. MIN NOME Max. MIN NOME Max.
A 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 e 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 e1 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 L 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 250REF. 0.098REF.
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 Q 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
E 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 Θ1
E1 - 8.70 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.394 0.401              
 
Mais informações por favor entre em contato diretamente conosco através do e-mail: ivanzhu@junqitrading.com
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