Circuito integrado CI do regulador da terminação da microplaqueta DDR-II do circuito integrado de LP2997MRX
LP2997MRX Circuito Integrado Chip Regulador de Terminação DDR-II circuito integrado ic
Pacote FBGA-96 ROHS de K4B4G1646E-BYMA Samsung RDA SDRAM
1-1473005-1 Conectividade TE Conectores AMP SODIMM DDR SDRAM Soquete
Microplaqueta MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D de IC da memória de 1GB RDA SDRAM
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512 MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.
Mícron MT41K256M16TW-107 AIT: Microplaqueta 512Mb DDR3 SDRAM da memória Flash CI de P
16Mx16 paralelizam a microplaqueta 46V16M16 SDRAM de IC do circuito integrado - memória IC 256Mb da RDA
MT46V16M16P-75: Bandeja da RDA SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP da microplaqueta de GOLE do MÍCRON de F
SDRAM - memória IC MT46V16M16P-5B da RDA: Paralela de M 256Mbit 200 megahertz 700 microplaqueta eletrônica do picosegundo 66-TSOP IC
ALCANCE dos chip de memória FBGA-96 RDA de Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram não afetado
Registro LP2998QMRX/NOPB PMIC da terminação da gestão CI do poder da RDA
Regulador 1,35 V a 5,5 V da terminação de LP2998MA NOPB RDA
GOLE IS42S16320F-6TLI do Pin TSOP II de 512M 3.3V SDRAM 32Mx16 166MHz 54
Fabricação de substrato de IC de memória para DDR/LPDDR
256mbit 54 chip de memória SDRAM 16Mx16 3.3V TSOP-II da gole da memória HY57V561620FTP-HI do Pin EEPROM