Pacote FBGA-96 ROHS de K4B4G1646E-BYMA Samsung RDA SDRAM
1-1473005-1 Conectividade TE Conectores AMP SODIMM DDR SDRAM Soquete
GOLE PC2100 009-0022375 0090022375 do NCR DIMM 512M 64MX64 RDA das peças da máquina do ATM
Partes ATM NCR DIMM 512M 64MX64 DDR DRAM PC2100 009-0022375
Mícron MT41K256M16TW-107 AIT: Microplaqueta 512Mb DDR3 SDRAM da memória Flash CI de P
ALCANCE dos chip de memória FBGA-96 RDA de Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram não afetado
Fabricação de substrato de IC de memória para DDR/LPDDR
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALELO 66TSOP Micron Technology Inc.
Microplaqueta MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D de IC da memória de 1GB RDA SDRAM
Anterwell Technology Ltd.
MT46V8M16TG-6T IT:D TR Original Circuito Integrado Chip de Circuito Integrado DUPLA TAXA DE DADOS DDR SDRAM
MT46V16M16P-75: Bandeja da RDA SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP da microplaqueta de GOLE do MÍCRON de F
16Mx16 paralelizam a microplaqueta 46V16M16 SDRAM de IC do circuito integrado - memória IC 256Mb da RDA
SDRAM - memória IC MT46V16M16P-5B da RDA: Paralela de M 256Mbit 200 megahertz 700 microplaqueta eletrônica do picosegundo 66-TSOP IC
Regulador 1,35 V a 5,5 V da terminação de LP2998MA NOPB RDA
97-0284