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Zhuhai Cersol Technology Co, Ltd

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Placas de AlN das carcaças do nitreto de alumínio para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder

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Zhuhai Cersol Technology Co, Ltd
Cidade:zhuhai
Província / Estado:guangdong
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China Placas de AlN das carcaças do nitreto de alumínio para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder wholesale
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Placas de AlN das carcaças do nitreto de alumínio para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder
Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :China
Quantidade Mínima de Pedido :1 KG
Quantidade de ordem mínima :100Pcs
Detalhes da embalagem :SACOS, BARRILHOS, CAIXAS
Prazo de entrega :GERALMENTE 1 MÊS
Termos de pagamento :T/T com antecedência
capacidade de fornecimento :80.000KG
Aplicações :Para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder
Tamanho :Personalizado
Nome do produto :Carcaças do nitreto de alumínio
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Especificações

Especificação dos substratos de nitreto de alumínio
Descrição O substrato cerâmico de nitruro de alumínio tem excelente condutividade térmica, menor constante dielétrica e perda média, desempenho de isolamento confiável, excelentes propriedades mecânicas, não tóxico,resistência à alta temperaturaÉ amplamente utilizado em diferentes áreas, como dispositivos de comunicação, LEDs de alto brilho e dispositivos eletrônicos eletrônicos.É um material cerâmico electrónico com excelentes performances.
Vantagens (1) Tem uma elevada condutividade térmica ((> 200w), que é de 5 a 10 vezes superior à da alumina cerâmica.
(2) O coeficiente de expansão térmica (4,3x10-6/°C) corresponde ao material de silício semicondutor (3,5-4,0x10-6/°C).
(3) Boas propriedades mecânicas, resistência à curvatura superior à da cerâmica BEO, próxima da alumina.
(4) Excelente desempenho elétrico, elevada resistência ao isolamento e baixa perda de média.
(5) O material do circuito é compatível com uma boa compatibilidade e pode ser realizada uma fiação de várias camadas para alcançar a alta densidade e miniaturização da embalagem.
(6) Não tóxico, que favorece a protecção do ambiente.
Propriedades dos materiais C-ALN-200
Cores Cinza e Branca
Densidade g/cm3 ≥ 3.0
Roughness da superfície Ra μm 0.300-0.600
Força flexural MPa > 320
Camber Duração ≤ 2
Conductividade térmica 25°C, W/m·k ≥ 200
Coeficiente de expansão térmica 10-6/K ((40-400°C) 4.0-5.0
10-6/K ((40-800°C) 3.5x10-6
Constante dielétrica kv/MN 17
Resistência de volume 25°C,Ω·cm ≥ 1014
Observações: os valores acima referidos são típicos e não especificativos.
Tamanho Espessura comprimento*largura
0.381mm 500,8*50,8 mm
110*110 mm
114.3*114,3 mm
120*120 mm
127*127 mm
139*190 mm
0.500 mm
0.635mm
1.0 mm
1.5 mm
Aplicações Pacote de LED Placas de AlN das carcaças do nitreto de alumínio para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder
Placas de base de cerâmica de resistência Placas de AlN das carcaças do nitreto de alumínio para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder
Semicondutores a laser de ultrapotência LD Placas de AlN das carcaças do nitreto de alumínio para o semicondutor LD do pacote do diodo emissor de luz & do laser do Ultra-poder

 

 

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