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Cidade:shenzhen

País / Região:china

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R1RW0416DSB-2PR#D1

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Categoria :Circuitos integrados (CI) Memória Memória

Estatuto do produto :Atividade

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Pacote :Caixa

Série :-

DigiKey Programável :Não verificado

Interface de memória :Paralelo

Escreva o tempo do ciclo - palavra, página :12ns

Pacote de dispositivos do fornecedor :44-TSOP II

Tipo de memória :Volátil

Mfr :Renesas Electronics America Inc.

Tamanho da Memória :4Mbit

Voltagem - Fornecimento :3 V ~ 3,6 V

Tempo de acesso :12 ns

Embalagem / Caixa :44-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)

Organização da memória :256K x 16

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)

Tecnologia :SRAM

Número do produto de base :R1RW0416

Formato de memória :SRAM

Descrição :IC SRAM 4MBIT PARALELO 44TSOP II

Resíduos :10000

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IC de memória SRAM 4Mbit paralelo 12 ns 44-TSOP II

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