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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

Cidade:shenzhen

País / Região:china

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FP35R12W2T4BOMA1

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Categoria :Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT

Corrente - colector (Ic) (máximo) :54 A

Estatuto do produto :Atividade

Tipo de montagem :Montura do chassi

Pacote :Caixa

Série :EasyPIMTM

Embalagem / Caixa :Modulo

Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :2.25V @ 15V, 35A

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :1200 V

Pacote de dispositivos do fornecedor :Modulo

Mfr :Tecnologias Infineon

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 150°C

Corrente - limite do colector (máximo) :1 mA

Tipo IGBT :Paragem de campo de trincheiras

Potência - Máximo :215 W

Input :Padrão

Capacidade de entrada (Cies) @ Vce :2 nF @ 25 V

Configuração :Inversor de três fases

Termistor NTC :- Sim, sim.

Número do produto de base :FP35R12

Descrição :IGBT MOD 1200V 54A 215W

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Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 54 A 215 W Módulo montado no chassi

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