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Categoria de produtos :MOSFET
Vgs (máximo) :± 20V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C :120mA (Ta)
Tipo de FET :N-canal
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :4.9nC @ 5V
Fabricante :Tecnologias Infineon
Quantidade mínima :1000
Voltagem de accionamento (max Rds On, min Rds On) :0V, 10V
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica FET :Modo de esgotamento
Série :SIPMOS®
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds :146 pF @ 25V
Pacote do fornecedor :PG-SOT223-4
Embalagem :Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :45 Ohm @ 120mA, 10V
Dissipação de potência (máximo) :1.8W (Ta)
Embalagem / Caixa :TO-261-4, TO-261AA
Tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id :1V @ 94μA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) :600 V
Descrição :MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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