Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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IRGR3B60KD2PBF

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IRGR3B60KD2PBF

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Categoria de produtos :Transistores IGBT
Estilo de montagem :SMD/SMT
Corrente contínua do colector a 25oC :7.8 A
Paládio - dissipação de poder :52 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max :600 V
Embalagem / Caixa :DPAK-3
Voltagem máxima do emissor da porta :+/- 20 V
Embalagem :Tubos
Configuração :Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor :2,4 V
Fabricante :IR / Infineon
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