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IRG7PH30K10PBF

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IRG7PH30K10PBF
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Corrente de vazamento do emissor da porta :nA 100
Categoria de produtos :Transistores IGBT
Estilo de montagem :Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC :33A
Paládio - dissipação de poder :210 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max :1,2 quilovolts
Embalagem / Caixa :TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento :+ 175 C
Voltagem máxima do emissor da porta :+/- 30 V
Embalagem :Tubos
Configuração :Solteiro
Voltagem de saturação do colector-emissor :2,05 V
Fabricante :IR / Infineon
Descrição :IGBT Transistores Trinch IGBT 1200V 10A IGBT único
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