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IXGH40N120C3D1

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IXGH40N120C3D1
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Corrente de vazamento do emissor da porta :nA 100
Categoria de produtos :Transistores IGBT
Estilo de montagem :Através do Buraco
Corrente contínua do colector a 25oC :75 A
Paládio - dissipação de poder :380 W
Voltagem do colector-emissor VCEO Max :1,2 quilovolts
Embalagem / Caixa :TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento :+ 150 C
Embalagem :Tubos
Voltagem máxima do emissor da porta :+/- 20 V
Voltagem de saturação do colector-emissor :4,4 V
Fabricante :IXYS
Descrição :Transistores IGBT 75 Amp 1200V
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