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Categoria de produtos :MOSFET
Vgs (máximo) :± 20V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C :5.1A (Ta)
Tipo de FET :N-canal
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :38nC @ 10V
Fabricante :Tecnologias Infineon
Quantidade mínima :1
Voltagem de accionamento (max Rds On, min Rds On) :10 V
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica FET :-
Série :HEXFET®
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds :1647pF @ 75V
Pacote do fornecedor :8-SO
Embalagem :Tubos
Rds On (Max) @ Id, Vgs :43 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipação de potência (máximo) :2.5W (Ta)
Embalagem / Caixa :8-SOIC (0.154" , largura de 3.90mm)
Tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id :5V @ 100µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) :150 V
Descrição :MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
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