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Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :5.3V
Categoria de produtos :Transistores Bipolares de RF
Ganho :12.5 dB
Tipo de transistor :NPN
Quantidade mínima :3000
Pacote do fornecedor :UFM
Figura de ruído (dB Tipo @ f) :1.45 dB @ 1 GHz
Status da parte :Atividade
Corrente - colector (Ic) (máximo) :100 mA
Potência máxima :900mW
Embalagem :Tape & Reel (TR)
Frequência - Transição :11.2 GHz
O ganho de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce :200 @ 30mA, 5V
Temperatura de funcionamento :150°C (TJ)
Embalagem / Caixa :3-SMD, ligações lisas
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Série :-
Fabricante :Semicondutor de Toshiba
Descrição :RF SIGE HETEROJUNÇÃO BIPOLAR N
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