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2N2222A

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Categoria :Produtos de semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Arrays de transistores bipolares

Corrente - colector (Ic) (máximo) :800mA

Estatuto do produto :Atividade

Tipo de montagem :Através do Buraco

Pacote :Caixa

Série :-

Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic :1V @ 50mA, 500mA

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo) :40 V

Pacote de dispositivos do fornecedor :TO-18

Mfr :De circuito integrado Inc.

Corrente - limite do colector (máximo) :10nA

Potência - Máximo :1.2W

Embalagem / Caixa :TO-206AA, metal TO-18-3 pode

Temperatura de funcionamento :-65°C ~ 200°C (TJ)

O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce :75 @ 10mA, 10V

Número do produto de base :2N2222

Descrição :NPN SIL TRANS TO18

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Bipolar (BJT) Transistor Array 40V 800mA 1.2W através do buraco TO-18

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