ROSH aprovou a gestão CI UCC27211DRMT Texas Instruments PMIC do poder

Características para o UCC27211

• Conduz dois MOSFETs do N-canal no Alto-lado
  e configuração do Baixo-lado com independente
  Entradas
• C.C. máxima da tensão 120-V da bota
• 4-A dissipador, correntes de saída da fonte 4-A
• resistência do Pullup 0.9-Ω e do Pulldown
• Os pinos entrados podem tolerar – 10 V a 20 V e são
  Independente da escala da tensão de fonte
• TTL ou versões Pseudo--CMOS entradas compatíveis
• 8-V à escala de funcionamento de 17-V VDD, (20-V absoluto
  Máximo)
• elevação 7.2-ns e tempo de queda de 5,5 ns com 1000-pF
  Carga
• Tempos de atraso rápidos da propagação (18 ns típicos)
• harmonização do atraso 2-ns
• Fechamento simétrico do Undervoltage para o Alto-lado
  e motorista do Baixo-lado
• Todo o padrão do setor empacota disponível (SOIC-8,
  PowerPAD™ SOIC-8, 4 milímetros de × 4 milímetro SON-8
  e 4 milímetros de × 4 milímetro SON-10)
• Especificado – do °C 40 a 140

Descrição para o UCC27211

Os motoristas UCC27210 e UCC27211 são baseados em motoristas do MOSFET UCC27200 e UCC27201 popular, mas oferecem diversas melhorias significativas do desempenho. A saída máxima levanta e a corrente suspenso foi aumentada à fonte 4-A e ao dissipador 4-A, e levanta e a resistência suspenso foi reduzida a 0,9 Ω, permitindo desse modo conduzir MOSFETs do grande poder com perdas de comutação minimizadas durante a transição através de Miller Plateau do MOSFET. A estrutura da entrada pode agora segurar diretamente – 10 VDC, que aumenta o vigor e igualmente permite a relação direta aos transformadores da porta-movimentação sem usar diodos da correção. As entradas são igualmente independente da tensão de fonte e têm uma avaliação máxima de 20-V.

O nó de comutação (pino do HS) do UCC2721x pode segurar – um máximo de 18 V que permitisse que o canal do alto-lado seja protegido das tensões negativas inerentes causou a indutância parasítica e a capacidade dispersa. Os UCC27210 (entradas Pseudo--CMOS) e UCC27211 (entradas de TTL) aumentaram a histerese reservando para a relação aos controladores análogos ou digitais de PWM com imunidade de ruído aumentada.

Os motoristas do baixo-lado e da porta do alto-lado independentemente são controlados e combinados a 2 ns entre o turnon e o turnoff de se.

Uma em-microplaqueta 120-V avaliou o diodo da tira de bota elimina os diodos discretos externos. O fechamento do Undervoltage está fornecido para o alto-lado e os motoristas do baixo-lado que fornecem o comportamento simétrico do turnon e do turnoff e que forçam as saídas baixas se a tensão da movimentação está abaixo do ponto inicial especificado.

Ambos os dispositivos são oferecidos no pino 8 SOIC (d), PowerPAD SOIC-8 (DDA), 4 (DPR) pacotes milímetro do × 4 milímetro SON-8 (DRM) e SON-10.