Proteção de circuito ESDS312DBVR do transistor de NPN PNP S9014 para o amplificador

Características para o ESDS312

• Proteção do ESD do nível 4 do IEC 61000-4-2
  • descarga do contato de ±30-kV
  • descarga de Gap de ar de ±30-kV
• Proteção do IEC 61000-4-4 EFT
  • 80 A (5/50 de ns)
• Proteção do impulso do IEC 61000-4-5
  • 25 A (8/20 dos µs)
  • Baixo impulso que aperta a tensão 6,5 V em 25 AIpp
• Capacidade do IO:
  • 4,5 PF (típicos)
• Tensão de divisão da C.C.: 5,5 V (mínimo)
• Corrente ultra baixa do escapamento: nA 5 (típico)
• Relações de alta velocidade dos apoios até 5 Gbps
• Variação da temperatura industrial: – 40°C a +125°C
• Fácil corra através de distribuir o pacote (ESDS312)

Descrição para o ESDS312

Os ESDS314, dispositivos ESDS312 são forEthernet unidirecional da disposição do diodo da proteção das tevês ESD, USB e linha de uso geral proteção até 25 A dos dados do impulso (8/20 dos µs). Os ESDS314, dispositivos ESDS312 são avaliados dissipar greves do ESD a nível máximo especificado no standard internacional IEC61000-4-2 (nível 4).

Os dispositivos caracterizam uma capacidade de 4.5-pF IO pelo canal que faz a ideal para relações da protectinghigh-velocidade tais como os ethernet 10/100/1000, o USB 2,0 e o GPIO. A baixa tensão de aperto do baixo resistanceand dinâmico para assegurar a proteção do nível de sistema contra eventos transientes.

Os ESDS314, dispositivos ESDS312 são oferecidos nos pacotes do padrão do setor 5-Pin SOT23.