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Falhanços de aleta provocados da microplaqueta SN74HC74N do circuito integrado do transistor borda positiva

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Falhanços de aleta provocados da microplaqueta SN74HC74N do circuito integrado do transistor borda positiva

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :SN74HC74N
Lugar de origem :Tailândia
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :1200pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Características :Escala larga da tensão de funcionamento de 2 V a 6 V
Features2 :As saídas podem conduzir acima a 10 LSTTL carregam
Features3 :Consumo da baixa potência, 40-µA ICC máximo
Aplicações :Tpd típico = 15 ns
Aplicações típicas 1 :movimentação da saída de ±4-mA em 5 V
Pacote :DIP-14
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Falhanços de aleta provocados da microplaqueta SN74HC74N do circuito integrado do transistor borda positiva

 

 

SN74HC74N Dual o D-Tipo flip-flops Positivo-Borda-Provocados com claro e pré-ajuste 

 

Escala larga da tensão de funcionamento de 2 V a 6 V

As saídas podem conduzir acima a 10 LSTTL carregam

Consumo da baixa potência, 40-µA ICC máximo

Tpd típico = 15 ns

movimentação da saída de ±4-mA em 5 V

Baixa corrente de entrada de 1 µA máximo

 

descrição/informação pedindo

    'Os dispositivos HC74 contêm o D-tipo de dois independentes

flip-flops positivo-borda-provocados. Um de baixo nível no pré-ajuste (PRE)

ou claro (CLR) entra grupos ou restaura as saídas,

apesar dos níveis das outras entradas.

Quando PRE e CLR forem inativos (alto),

os dados nos dados (d) entraram cumprir as exigências do tempo de instalação

são transferidos às saídas

na borda positivo-indo do pulso de (CLK) do pulso de disparo.

A provocação do pulso de disparo ocorre a nível da tensão

e não é relacionado diretamente à época de elevação de CLK.

Depois do intervalo do posse-tempo, dados

em D a entrada pode ser mudada

sem afetar os níveis nas saídas.

Falhanços de aleta provocados da microplaqueta SN74HC74N do circuito integrado do transistor borda positivaavaliações máximas absolutas sobre a variação da temperatura de funcionamento do livre-ar (salvo disposição em contrário) ‡

Escala da tensão de fonte, VCC – 0,5 V a 7 V 

Entre a corrente da braçadeira, IIK (VI < 0="" or="" VI=""> VCC) (veja a nota 1) ±20 miliampère 

Output a corrente da braçadeira, IOK (Vo < 0="" or="" VO=""> VCC) (veja a nota 1) ±20 miliampère

Corrente de saída contínua, IO (Vo = 0 a VCC) ±25 miliampère

Corrente contínua através de VCC ou de terra ±50 miliampère 

Impedância térmica do pacote, θJA (veja a nota 2): 

Pacote 86 de D……………………………. °C/W

Pacote 80 do pacote 96…………………………… °C/W N do DB……………………………. pacote 113 °C/W do pacote 76……………………… °C/W picowatt de °C/W NS  

Variação da temperatura do armazenamento, Tstg…………………. – 65°C a 150°C

 

 

 

 

 

 

 

INFORMAÇÃO DA MEDIDA DO PARÂMETRO

Falhanços de aleta provocados da microplaqueta SN74HC74N do circuito integrado do transistor borda positiva

 

NOTAS:

A.O CL inclui a capacidade da ponta de prova e do teste-dispositivo elétrico.

B. Os relacionamentos da fase entre formas de onda foram escolhidos arbitrariamente. Todos os pulsos de entrada são fornecidos pelos geradores que têm as seguintes características: ≤ de PRR 1 megahertz, ZO = 50 Ω, tr = 6 ns, tf = 6 ns.

C. Para entradas de pulso de disparo, o fmax é medido quando o ciclo de dever da entrada é 50%.

D. As saídas são medidas um de cada vez com uma transição entrada pela medida. O tPLH e o tPHL do E. são o mesmo que o tpd.

 

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

TA † do PACOTE NÚMERO DA PEÇA ORDERABLE MARCAÇÃO DO PARTE-LADO
0°C a 70°C SOIC D
 
Tubo SN74LS06D LS06
Fita e carretel SN74LS06DR
CONCESSÃO – NS Fita e carretel SN74LS06NSR 74LS06
SSOP – DB Fita e carretel SN74LS06DBR LS06
PDIP – N Tubo SN74LS06N SN74LS06N
– 55°C a 125°C CDIP – J Tubo SN54LS06J SN54LS06J
Tubo SN54LS06J SN54LS06J
LCCC – FK Tubo SNJ54LS06FK SNJ54LS06FK
 

 

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