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Amplificadores operacionais duplos TLC27L2C da elevada precisão ótica da microplaqueta do circuito integrado

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Amplificadores operacionais duplos TLC27L2C da elevada precisão ótica da microplaqueta do circuito integrado

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Número de modelo :TLC27L2CP
Lugar de origem :Tailândia
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :5200PCS
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Expedição :DHL, Fedex, TNT, EMS etc.
Linha principal :CI, módulo, transistor, diodos, capacitor, resistor etc.
Tensão deslocada aparada :ΜV TLC27L7… 500 máximo em 25°C, VDD = 5 V
Vasta gama de tensões de fonte sobre a variação da temperatura especificada :0°C a 70°C. 3 V a 16 V – 40°C a 85°C. 4 V a 16 V – 55°C a 125°C. 4 V a 16 V
Impedância alta da entrada :tipo 1012 do Ω
Projetado :Projetar-na imunidade da Trava-Acima
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Optical Circuito Integrado Chip alta precisão Amplificadores operacionais duplos

TLC27L2C PLincmose precisão dupla Amplificadores de operação ESD-Protection circuitos

Aparadas Tensão de decalagem: TLC27L7. . . 500 mV máxima a 25 ° C, VDD = 5V

Decalagem de entrada Tensão de tração. . . Normalmente 0,1 mV / mês, incluindo os primeiros 30 dias

Vasta gama de Abastecimento de tensões superiores a faixa de temperatura especificada: 0 ° C a 70 ° C. . . 3 V a 16 V -40 ° C a 85 ° C. . . 4 V a 16 V -55 ° C a 125 ° C. . . 4 V a 16 V

Operação Single-Fornecimento

Faixa de modo comum de tensão de entrada se estende abaixo do Negativo Rail (C-Sufixo, Tipos I-sufixo)

Ultra-Low Power ... Normalmente 95 mW a 25 ° C, VDD = 5 V

Saída de Faixa de tensão inclui Rail Negative

Alta impedância de entrada. . . 1012 Ω Typ

ESD-Protection Circuito Pequeno-Esboço opção de pacote também disponível em Fita e Reel Projetado-In Trava-Up imunidade

Descrição

Os amplificadores operacionais dupla TLC27L2 e TLC27L7

combinar uma ampla gama de compensação de entrada classes da tensão com baixo

desvio de tensão offset, alta impedância de entrada, extremamente baixa

de energia e alto ganho.

Esses dispositivos utilizam a tecnologia Texas Instruments LinCMOS silício-portão, que proporciona deslocamento estabilidade de tensão muito superior a estabilidade disponível com processos de metal-gate convencionais.

A impedância extremamente alta de entrada e baixas correntes de viés, e baixo consumo de energia fazem estes dispositivos de baixo custo ideal para alto ganho, de baixa frequência, aplicações de baixa potência. Quatro classes da tensão de compensação estão disponíveis (C-sufixo e os tipos I-sufixo), que vão desde o TLC27L2 de baixo custo (10 mV) para o TLC27L7 de alta precisão (500 mV). Estas vantagens, em combinação com boa rejeição de modo comum e rejeição tensão de alimentação, fazer estes dispositivos uma boa escolha para novos modelos state-of-the-art, bem como para atualizar projetos existentes.

Em geral, muitas características associadas com a tecnologia bipolar estão disponíveis em amplificadores operacionais LinCMOS, sem as penalidades poder da tecnologia bipolar. aplicações gerais, como a interface do transdutor, cálculos analógicos, blocos de amplificadores, filtros ativos, e buffer de sinal são facilmente concebido com o TLC27L2 e TLC27L7. Os dispositivos também apresentam operação de baixa tensão single-oferta e ultra-baixo consumo de energia, tornando-os ideais para aplicações alimentadas por bateria remotas e inacessíveis. A faixa de tensão de entrada de modo comum inclui o trilho negativo.

Uma vasta gama de opções de embalagem está disponível, incluindo pequeno-contorno e versões de chip transportadoras para aplicações do sistema de alta densidade.

As entradas e saídas de dispositivos são projetados para suportar correntes de surto -100-MA sem sofrer trava-up.

O TLC27L2 e TLC27L7 incorporar circuitos ESD-proteção interna que impedem falhas funcionais com tensões até 2000 V como testado sob MIL-STD-883C, Método 3015,2; no entanto, o cuidado deve ser exercido no manuseio desses dispositivos como a exposição a ESD pode resultar na degradação do desempenho do dispositivo paramétrica.

Os dispositivos C-Sufixo são caracterizados para a operação de 0 ° C a 70 ° C. Os dispositivos de I-sufixo são caracterizados para a operação de -40 ° C a 85 ° C. Os dispositivos de H-sufixo são caracterizados para operação durante o intervalo de temperaturas militar total de -55 ° C a 125 ° C.

esquemática equivalente (cada amplificador)

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