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Placa de chip de computador do circuito do Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench do canal de N
estoque do original dos componentes eletrônicos de PowerTrench FDS6676AS do N-Canal 30V
Descrição geral
O FDS6676AS é projetado substituir um únicos MOSFET SO-8 e diodo de Schottky em síncrono
C.C.: Fontes de alimentação de DC. Este MOSFET 30V é projetado maximizar a eficiência de conversão do poder, fornecendo um baixo RDS (SOBRE) e a baixa carga da porta. O FDS6676AS inclui um diodo integrado de Schottky usando a tecnologia monolítica do SyncFET de Fairchild.
Aplicações
• Conversor de DC/DC
• Baixo caderno lateral
Características
• 14,5 A, 30 mΩ do max= 6,0 do V. RDS (SOBRE) @ VGS = 10 mΩ do max= 7,25 de V RDS (SOBRE) @ VGS = 4,5 V
• Inclui o diodo do corpo de SyncFET Schottky
• Baixa carga da porta (45nC típicos)
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE) e o interruptor rápido
• Poder superior e capacidade de manipulação atual
Avaliações máximas absolutas TA=25o C salvo disposição em contrário
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidade |
| VDSS | Tensão da Dreno-Fonte | 30 | V |
| VGSS | Tensão da Porta-Fonte | ±20 | V |
| Identificação |
Corrente do dreno – contínua (nota 1a) – Pulsado |
14,5 | A |
| 50 | |||
| Paládio |
Dissipação de poder para a única operação (nota 1a) (Nota 1b) (Nota 1c) |
2,5 | W |
| 1,5 | |||
| 1 | |||
| TJ, TSTG | Funcionamento e variação da temperatura da junção do armazenamento | – 55 a +150 | °C |
Características térmicas
| R doθJA | Resistência térmica, Junção-à-Ambiental (nota 1a) | 50 | W/°C |
| R doθJC | Resistência térmica, Junção-à-Caso (nota 1) | 25 |
Marcação do pacote e informação pedindo
| Marcação do dispositivo | Dispositivo | Tamanho do carretel | Grave a largura | Quantidade |
| FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12MM | 2500 unidades |
| FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12MM | 2500 unidades |