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Construa uma ponte sobre o tipo diodo de retificador 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 ampères

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Construa uma ponte sobre o tipo diodo de retificador 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 ampères

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :1N4007
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :100UD
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :50000pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :Bloco original da fábrica
Pacote :DO-41
Embalagem :5000pcs/box
Expedição :DHL, Fedex, TNT, EMS etc.
Atual :1.0A
temperatura :℃ -55 a +150
tensão :50-1000V
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Construa uma ponte sobre o tipo diodo de retificador 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 ampères

 

 

Característica

Baixa construção do revestimento

Baixa queda de tensão dianteira

Baixa capacidade reversa da corrente de impulso dianteiro do leakageHigh

Solda de alta temperatura garantida:

comprimento da ligação de 260℃/10 secods/.375” (9.5mm) em 5 libras (2.3kg) de tensão

 

DADOS MECÂNICOS

Caso: Plástico moldado transferência

poxy: Chama da taxa de UL94V-O - retardador

Polaridade: A faixa da cor denota a extremidade do cátodo

Ligação: Axial lead chapeado, solderable pelo método 208C de MIL-STD-202E

Posição de montagem: Alguns

Peso: 0,012 onças, 0,33 gramas

 

Construa uma ponte sobre o tipo diodo de retificador 1N4007 50 a 1000 volts 1,0 ampères

AVALIAÇÕES MÁXIMAS E CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

· Avaliações na temperatura 25OC ambiental salvo disposição em contrário · Carga de fase monofásica, de semionda, de 60Hz, resistive ou indutiva · Para a carga capacitiva derate a corrente por 20%

 

Tensão máxima do RMS SÍMBOLOS 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 UNIDADE
Tensão de obstrução da C.C. do máximo

Vrrm

50 100 200

400

600 800 1000 V
Corrente para a frente retificada média máxima 0,375" comprimento da ligação (de 9.5mm) em TA= 25℃ Vrms 35 70 140 280 420 560 700 V
A corrente de impulso dianteiro máxima 8.3mS escolhe a meia onda de seno sobrepor na carga avaliado (o método de JEDEC) VC.C. 50 100 200 400 600 800 100 V
Tensão dianteira instantânea máxima @ 1.0A (Avoirdupois) 1,0 A

Reverso da C.C. do máximo Ta = 25℃

Corrente na C.C. Rated que obstrui a tensão de TA=100V pelo elemento 

Ifsm 5,0 µA
Vf 50 µA
Reverso máximo atual, média completa 0,375" da carga máxima do ciclo comprimento da ligação (de 9.5mm) em TL=75℃       Ir                                          30    µA
Capacidade de junção típica (nota 1)      Cj                                           13    µA
Resistência térmica típica (nota 2)    RθJA                                            50   ℃ /w
Variação da temperatura de funcionamento da junção      Tj                                      -55 a +150    ℃
Variação da temperatura do armazenamento TSTG -55 a +150    ℃

 

Notas:

1. Medido em 1.0MHz e na tensão reversa aplicada de C.C. 4.0V.

2. Resistência térmica da junção às almofadas terminais do cobre 6.0mm2 a cada terminal.

3. O tamanho da microplaqueta é 40mil×40mil

 

 

 

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