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O transistor linear 2N5458 JFETs do Mosfet do poder conduziu microplaquetas de IC das televisões
Prostração de uso geral do − de N−Channel do − de JFETs
Transistor de efeito de campo da junção de N−Channel, modo de prostração (o tipo A) projetou para aplicações do áudio e do interruptor.
Características
• N−Channel para o ganho mais alto
• Dreno e fonte permutáveis
• Impedância alta da entrada da C.A.
• Resistência de entrada alta da C.C.
• Baixa transferência e capacidade entrada
• Baixa distorção de Cross−Modulation e de intermodulação
• Pacote encapsulado plástico de Unibloc • Os pacotes de Pb−Free são Available*
| Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de Drain−Source | VDS | 25 | VDC |
| Tensão de Drain−Gate | VDG | 25 | VDC |
| Tensão reversa de Gate−Source | VGSR | −25 | VDC |
| Corrente da porta | IG | 10 | mAdc |
| A dissipação total do dispositivo @ Ta = 25°C Derate acima de 25°C | Paládio | 310 2,82 | mW mW/°C |
| Temperatura de junção de funcionamento | TJ | 135 | °C |
| Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | −65 a +150 | °C |
Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas são avaliações do esforço somente. A operação funcional acima das condições de funcionamento recomendadas não é implicada. A exposição prolongada aos esforços acima das condições de funcionamento recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo
INFORMAÇÃO PEDINDO
Transporte do pacote do dispositivo
unidades de 2N5457 TO−92 1000/caixa
unidades de 2N5458 TO−92 1000/caixa
2N5458G TO−92 (Pb−Free) 1000 unidades/caixa
