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Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal

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Número de modelo :BSP315
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :6800PCS
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Linha principal :CI, módulo, transistor, diodos, capacitor, resistor etc.
Características :Canal de P
Features2 :Modo do realce
Features3 :• Nível da lógica
Features4 :VGS (th) = -0,8… - 2,0 V
Pacote :SOT-23
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Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal

 

 

• Canal de P

• Modo do realce                    Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal

• Nível da lógica

• VGS (th) = -0,8… - 2,0 V

 

 

 

Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tensão de divisão V da Dreno-fonte (BR) DSS = ƒ (Tj)

Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal 

 

 

Impedância térmica transiente Zth JA = parâmetro do ƒ (tp): D = tp/T

 

Modo BSP315 SIPMOS do realce do canal do transistor P do Mosfet do poder do sinal 

 

 

 

Avaliações máximas

Parâmetro  Símbolo  Valores  Unidade
Drene a tensão da fonte  VDS  -50 V

tensão da Dreno-porta

RGS = kΩ 20

VDGR -50
Tensão de fonte de porta VGS  ± 20

Corrente contínua do dreno

Ta = °C 39

MIMD -1,1 A

Corrente do dreno da C.C.,

pulsado Ta = °C 25

MimDpuls -4,4

Dissipação de poder

Ta = °C 25

Pequeno de P 1,8 W

 

 

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