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Amplificador equivalente de uso geral do transistor KSP2907A PNP do Mosfet do poder

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Amplificador equivalente de uso geral do transistor KSP2907A PNP do Mosfet do poder

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Número de modelo :KSP2907A
Lugar de origem :Filipinas
Quantidade de ordem mínima :20
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :20000
Tempo de entrega :1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Features2 :• Dissipação de poder do coletor: PC =625mW (máximo)
Características :• Tensão do Coletor-Emissor: VCEO= 60V
Features3 :• Sufixo “- C” significa um coletor Center (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
Features4 :• Não sufixo “- C” significa um coletor lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
Features5 :• Disponível como PN2907A
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Amplificador equivalente de uso geral do transistor KSP2907A PNP do Mosfet do poder

 

 

Características

• Tensão do Coletor-Emissor: VCEO= 60V                Amplificador equivalente de uso geral do transistor KSP2907A PNP do Mosfet do poder

• Dissipação de poder do coletor: PC =625mW (máximo)

• Sufixo “- C” significa um coletor Center (1.Emitter 2.Collector 3.Base)

• Não sufixo “- C” significa um coletor lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)

• Disponível como PN2907A

 

 

 

Avaliações máximas absolutas * Ta = 25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro Valor Unidades
VCBO Tensão da Coletor-Base -60  V
VCEO  Tensão do Coletor-Emissor  -60  V
VEBO  Tensão da Emissor-Base -5  V
MIMC Corrente de coletor  -600  miliampère
TJ Temperatura de junção  +150  °C

 

 

Amplificador equivalente de uso geral do transistor KSP2907A PNP do Mosfet do poder

 

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