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Transistor de uso geral do Mosfet/transistor de uso geral de NPN
Transistor de uso geral
• Tensão do Coletor-Emissor: VCEO= 60V
• Dissipação de poder do coletor: PC =625mW (máximo)
• Refira KSP2907 para gráficos
Transistor Epitaxial do silicone de PNP
Avaliações máximas absolutas Ta=25°C salvo disposição em contrário
Unidades do valor de parâmetro do símbolo
Tensão -60 V da Coletor-Base de VCBO
Tensão -60 V do Coletor-Emissor de VCEO
Tensão -5 V da Emissor-Base de VEBO
Corrente de coletor -600 de IC miliampère
Dissipação de poder 625 do coletor do PC mW
Temperatura de armazenamento -55 do °C TSTG da temperatura de junção 150 de TJ ~ °C 150
NEGAÇÃO
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POLÍTICA DA MANUTENÇÃO DE AS FUNÇÕES VITAIS
OS PRODUTOS DE FAIRCHILD NÃO SÃO AUTORIZADOS PARA O USO COMO COMPONENTES CRÍTICOS EM DISPOSITIVOS DA MANUTENÇÃO DE AS FUNÇÕES VITAIS OU SISTEMAS SEM A APROVAÇÃO POR ESCRITO EXPRESSA DE FAIRCHILD SEMICONDUTOR CORPORAÇÕ.
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidades |
| VCBO | Tensão da Coletor-Base | -60 | V |
| VCEO | Tensão do Coletor-Emissor | -60 | V |
| VEBO | Tensão da Emissor-Base | -5 | V |
| IC | Corrente de coletor | -600 | miliampère |
| PC | Dissipação de poder do coletor | 625 | mW |
| TJ | Temperatura de junção | 150 | °C |
| TSTG | Temperatura de armazenamento | -55 | °C |
