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O transistor IXFH60N50P3 do Mosfet do poder do interruptor jejua retificador intrínseco

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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O transistor IXFH60N50P3 do Mosfet do poder do interruptor jejua retificador intrínseco

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Número de modelo :IXFH60N50P3
Lugar de origem :Filipinas
Quantidade de ordem mínima :20
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :20000
Tempo de entrega :1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
IXFQ :TO-3P
IXFH :TO-247
Características :RDS avaliado, baixo intrínseco rápido do retificador, da avalancha (SOBRE) e QG
vantagens :densidade de poder superior z de z fácil montar economias de espaço de z
Aplicações :O motor da C.A. e da C.C. dos motoristas z do laser dos conversores z das fontes z DC-DC do Interrup
Peso :TO-268 4,0 g TO-3P 5,5 g TO-247 6,0 g
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O transistor IXFH60N50P3 do Mosfet do poder do interruptor jejua retificador intrínseco

 

 

Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VDSS = 500V

MOSFET IXFQ60N50P3 do poder mim D25 = 60A

                                                                                                ≤ 100mΩ de IXFH60N50P3 RDS(sobre)

 

 

Modo do realce do N-Canal O transistor IXFH60N50P3 do Mosfet do poder do interruptor jejua retificador intrínseco

Avalancha avaliada

Retificador intrínseco rápido

 

 

 

 

 

 

 

 

Símbolo Condições de teste  Avaliações máximas

VDSS 

VDGR

TJ = 25°C a 150°C

TJ = 25°C a 150°C, RGS = 1MΩ

500 V

500 V

VGSS 

VG/M 

Contínuo 

Transiente 

± 30 V

± 40 V

MIM D25

MIM DM
 

TC = 25°C 

TC = 25°C, largura de pulso limitada por TJM

60 A

150 A

MIM A 

ECOMO

TC = 25°C  

TC = 25°C

30 A

1 J

dv/dt É o ≤ IDM, ≤ VDSS de VDD, ≤ 150°C de TJ 35 V/ns
PD  TC = 25°C  W 1040

TJ

TJM 

Stg de T

 

-55… °C +150

°C 150

-55… °C +150

 TL

Tsold 

1.6mm (0.062in.) do argumento para 10s 

Corpo plástico por 10 segundos

°C 300

°C 260

DM  Torque da montagem (TO-247 & TO-3P)  1,13/10 Nm/lb.in.
Peso

TO-268

TO-3P 

TO-247 

4,0 g

5,5 g

6,0 g

 

 

Características                                           O transistor IXFH60N50P3 do Mosfet do poder do interruptor jejua retificador intrínseco

Retificador intrínseco rápido

Avalancha avaliada

 Baixo RDS (SOBRE) e QG

 Baixa indutância do pacote

 

Vantagens

 Densidade de poder superior

 Fácil montar

 Economias de espaço

 

Aplicações

 Fontes do Interruptor-Modo e da alimentação do Ressonante-Modo

 Motoristas do laser dos conversores z de DC-DC

 Movimentações do motor da C.A. e da C.C.

 Robótica e controles servo

 

 

 

Figo. 1. Características de saída @ figo TJ = 25ºC. 2. Características de saída prolongadas @ TJ = 25ºC

O transistor IXFH60N50P3 do Mosfet do poder do interruptor jejua retificador intrínseco

 

Figo. 3. Características de saída @ figo TJ = 125ºC. 4. RDS (sobre) normalizado a valor identificação = 30A contra a temperatura de junção

 

O transistor IXFH60N50P3 do Mosfet do poder do interruptor jejua retificador intrínseco

Figo. 5. RDS (sobre) normalizado a valor identificação = 30A contra a corrente máxima do dreno 6. contra o dreno CurrentFig do caso.                                                            Temperatura

 

                    O transistor IXFH60N50P3 do Mosfet do poder do interruptor jejua retificador intrínseco

 

          Figo. 7. Figo da admissão da entrada. 8. Transcondutância

O transistor IXFH60N50P3 do Mosfet do poder do interruptor jejua retificador intrínseco

 

 

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