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original Epitaxial do transistor do silicone do transistor NPN do Pin 2SC5242 3

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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original Epitaxial do transistor do silicone do transistor NPN do Pin 2SC5242 3

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Número de modelo :2SC5242
Lugar de origem :Japão
Quantidade de ordem mínima :50
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :4000
Tempo de entrega :1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
classificação R do hFE :55-110
classificação O do hFE :80-160
Linha principal :Componentes de IC, transistor, diodo, módulo, capacitor etc.
tensão :230v
temperatura :-50-+150°C
Pacote :TO-3P
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original Epitaxial do transistor do silicone do transistor NPN do Pin 2SC5242 3

 

 

 

Transistor Epitaxial 2SC5242 do silicone de NPN 

 

Aplicações

• Amplificador da saída audio da alta fidelidade

• Características de uso geral do amplificador de poder

• Capacidade atual alta: IC = 15A

• Dissipação de poder superior: 130watts

• Alta freqüência: 30MHz.

• Alta tensão: VCEO=230V

• S.O.A largo para a operação segura.

• Linearidades excelentes do ganho para baixo THD.

• Complemento a 2SA1962/FJA4213.

• Os modelos térmicos e elétricos da especiaria estão disponíveis

• O mesmo transistor está igualmente disponível em: --Pacote TO264,

2SC5200/FJL4315: 150 watts --Pacote TO220,

FJP5200: 80 watts --Pacote de TO220F, FJPF5200: 50 watts

 

Ratings* máximo absoluto Ta = 25°C salvo disposição em contrário

 

Símbolo Parâmetro Avaliações Unidades
BVCBO Tensão da Coletor-Base 230 V
CEO DA BV Tensão do Coletor-Emissor 230 V
BVEBO Tensão da Emissor-Base 5 V
MIMC Corrente de coletor (C.C.) 15 A
MIMB Corrente básica 1,5 A
PD Dissipação total do dispositivo (TC=25°C) Derate acima de 25°C

130

1,04

W

W/°C

TJ, TSTG Temperatura da junção e de armazenamento -50-+150 °C

* Estas avaliações são os valores de limitação acima de que a utilidade de todo o dispositivo de semicondutor pode ser danificada.

 

Characteristics* térmico Ta=25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro MÁXIMO. Unidade
R doθJC Resistência térmica, junção ao caso 0,96 W/°C

* Dispositivo montado no tamanho mínimo da almofada

original Epitaxial do transistor do silicone do transistor NPN do Pin 2SC5242 3

 

 

 

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