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Manufacturer from China
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Componentes originais do FET IC do MOS do canal do silicone N do transistor 2SK1305

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Componentes originais do FET IC do MOS do canal do silicone N do transistor 2SK1305

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :2SK1305
Lugar de origem :Japão
Quantidade de ordem mínima :20
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :30000
Tempo de entrega :1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
transferência :DHL, Fedex, UPS, EMS etc.
Linha principal :Componentes de IC, transistor, diodo, módulo, capacitor etc.
Dissipação do canal :356
molde :Interruptor de alta velocidade do poder
D/C :°C
Pacote :TO-220F
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Componentes originais do FET IC do MOS do canal do silicone N do transistor 2SK1305

 

 

 

FET original TO-3P do MOS do canal do silicone N do transistor 2SK1305

 

 

Características

 

• Baixa em-resistência

• Interruptor de alta velocidade

• Corrente de baixa movimentação

• O  do dispositivo da movimentação da porta de 4 V pode ser conduzido de uma fonte de 5 V

• Apropriado para a movimentação do motor, o conversor de DC-DC, o interruptor de alimentação e o solenóide conduza

 

 

Esboço

 

Componentes originais do FET IC do MOS do canal do silicone N do transistor 2SK1305

 

Avaliações máximas absolutas

Artigo Símbolo Avaliação Unidade
Drene à tensão da fonte VDSS 100 V
Porta à tensão da fonte VGSS ±20 V
Drene a corrente Identificação 10 A
Drene a corrente máxima Identificação (pulso) *1 40 A
Corpo para drenar a corrente do dreno do reverso do diodo IDR 10 A
Dissipação do canal Pch*2 25 W
Temperatura do canal Tch 150 °C
Temperatura de armazenamento Tstg -50 a +150 °C

 

Notas: 1. Μs do ≤ 10 do picowatt, ≤ 1% do ciclo de dever

2. Valor em TC = 25°C

 

Componentes originais do FET IC do MOS do canal do silicone N do transistor 2SK1305

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