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Oferta do estoque do transistor de efeito de campo do MOS do transistor 2SK3797 do Pin de IC 3

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Oferta do estoque do transistor de efeito de campo do MOS do transistor 2SK3797 do Pin de IC 3

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :2SK3797
Lugar de origem :Malásia
Quantidade de ordem mínima :10
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :2500
Tempo de entrega :Oferta conservada em estoque
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
tensão da Dreno-fonte :600v
tensão da Dreno-porta :600v
Linha principal :Componentes de IC, transistor, diodo, módulo, capacitor etc.
temperatura :-50~150 °C
Pacote :PARA 220
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Oferta do estoque do transistor de efeito de campo do MOS do transistor 2SK3797 do Pin de IC 3

 

 

 

tipo do MOS do N-Canal do silicone do transistor de efeito de campo 2SK3797  Oferta do estoque do transistor de efeito de campo do MOS do transistor 2SK3797 do Pin de IC 3

 

Aplicações do regulador de interruptor

• Baixa dreno-fonte na resistência: RDS (SOBRE) = 0.32Ω (tipo.)

• Admissão de transferência dianteira alta: |Yfs| = 7,5 S (tipo.)

• Baixa corrente do escapamento: IDSS = μA 100 (VDS = 600 V)

• Modelo do realce: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, identificações = 1 miliampère)

 

Avaliações máximas (Ta = 25°C)

 

Característico Símbolo Avaliação Unidade
tensão da Dreno-fonte VDSS 600 V
tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20) VDGR 600 V
tensão da Porta-fonte VGSS ±30 V

Drene a C.C. atual

                                  Pulso (t = 1 Senhora)

Identificação 13 A
IDP 52
Drenam a dissipação de poder (Tc = 25°C) Paládio 50 W
Única energia da avalancha do pulso EAS 1033 mJ
Corrente da avalancha AR 13 A
Energia repetitiva da avalancha ORELHA 5,0 mJ
Temperatura do canal Tch 150 °C
Variação da temperatura do armazenamento Tstg -50-150     °C

 

Características térmicas

Característico Símbolo Máximo Unidade
Resistência térmica, canal ao caso Rth (ch-c) 2,5 w/ °C
Resistência térmica, canal a abinent Rth (ch-um) 62,5 w/ °C

 

Nota 1: Assegure-se de que a temperatura do canal não exceda 150°C durante o uso do dispositivo.

Nota 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (inicial), L = 10,7 mH, IAR = 13 A, RG = Ω 25

Nota 3: Avaliação repetitiva: a largura de pulso limitou pela temperatura que máxima do canal este transistor é um dispositivo eletrostático-sensível. Punho com cuidado.

 

Oferta do estoque do transistor de efeito de campo do MOS do transistor 2SK3797 do Pin de IC 3

 

 

 

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