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A eletrônica linear do amplificador do RF da faixa celular parte 47 o dBm MHL9236
Projetado para aplicações ultra-lineares do amplificador nos sistemas de 50 ohms que operam-se na faixa de freqüência celular. Um projeto da classe A do FET do silicone fornece linearidades e o ganho proeminentes. Além, o atraso de grupo e as características excelentes das linearidades da fase são ideais para a exigência de sistemas análogos ou digitais da modulação, tais como TDMA, CDMA ou QPSK
• Terceira intercepção da ordem: tipo de 47 dBm
• Ganho do poder: tipo do DB 30,5 (@ f = 880 megahertz)
• Características excelentes do atraso das linearidades e de grupo da fase
• Ideal para aplicações da estação base da reacção
• Para o uso em TDMA, em CDMA, em QPSK ou em sistemas análogos
| Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de fonte da C.C. | VDD | 30 | VDC |
| Poder de entrada do RF | Pdentro | +10 | dBm |
| Variação da temperatura do armazenamento | Stg de T | – 40 a +100 | °C |
| Variação da temperatura de funcionamento do caso | TC | – 20 a +100 | °C |
| Característico | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Corrente da fonte | MIMDD | — | 550 | 620 | miliampère |
| Ganho do poder (f = 880 megahertz) | Gp | 29,5 | 30,5 | 31,5 | DB |
| Nivelamento do ganho (f = 800-960 megahertz) | GF | — | 0,1 | 0,3 | DB |
| Saídas de potência @ 1 compartimento do DB (f = 880 megahertz) | DB da lota 1 | 33,0 | 34,0 | — | dBm |
| Entrada VSWR (f = 800-960 megahertz) | VSWRin | — | 1.2:1 | 1.5:1 | |
| Saída VSWR (f = 800-960 megahertz) | VSWRpara fora | — | 1.2:1 | 1.5:1 | |
| Terceira intercepção da ordem (f1 = 879 megahertz, f2 = 884 megahertz) | ITO | 46,0 | 47,0 | — | dBm |
| Figura de ruído (f = 800-960 megahertz) | N-F | — | 3,5 | 4,5 | dBm |
