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O módulo de poder IC do Mosfet MHL21336 parte o amplificador linear do RF LDMOS da faixa 3G
amplificador linear do RF LDMOS da faixa 3G
Projetado para aplicações ultra-lineares do amplificador nos sistemas de 50 ohms que operam-se na faixa de freqüência 3G. Um projeto da classe A do FET do silicone fornece linearidades e o ganho proeminentes. Além, o atraso de grupo e as características excelentes das linearidades da fase são ideais para sistemas digitais da modulação de CDMA.
• Terceira intercepção da ordem: tipo de 45 dBm
• Ganho do poder: tipo do DB 31 (@ f = 2140 megahertz)
• 1.5:1 da entrada VSWR
Características
• Características excelentes do atraso das linearidades e de grupo da fase
• Ideal para aplicações da estação base da reacção
• O sufixo de N indica terminações sem chumbo
| Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade | |
| Tensão de fonte da C.C. | VDD | 30 | VDC | |
| Poder de entrada do RF | Pin | +5 | dBm | |
| Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | - 40 a +100 | °C |