Anterwell Technology Ltd.
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CARACTERÍSTICAS
• Escala larga da tensão de fonte de 1,65 V a 5,5 V
• Entrada/saída tolerante de 5 V para conectar com a lógica de 5 V
• Imunidade de ruído alta
• Proteção do ESD:
– HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V
– o milímetro EIA/JESD22-A115-A excede 200 V.
• movimentação da saída de ±24 miliampère (VCC = 3,0 V)
• Consumo da baixa potência do CMOS
• O desempenho da trava-acima excede 250 miliampères
• Opções múltiplas do pacote
• Especificado do °C −40 ao °C +85 e do °C −40 a +125 °C.
DESCRIÇÃO
O 74LVC2GU04 é uma de capacidade elevada, baixa potência, de baixa voltagem, dispositivo do CMOS da Si-porta, superior à maioria de famílias compatíveis avançadas do CMOS TTL.
A entrada pode ser conduzida de 3,3 V ou de 5 dispositivos de V. Estas características permitem o uso destes dispositivos 3,3 de 5 V em um ambiente de V misturado e.
O 74LVC2GU04 fornece dois inversores. Cada inversor é uma única fase com saída unbuffered.
| SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | TÍPICO | UNIDADE |
| tPHL/tPLH |
atraso de propagação nA da entrada para output o nY |
VCC = 1,8 V; CL = 30 PF; RL =1kΩ | 2,3 | ns |
| VCC = 2,5 V; CL = 30 PF; RL = Ω 500 | 1,8 | ns | ||
| VCC = 2,7 V; CL = 50 PF; RL = Ω 500 | 2,6 | ns | ||
| VCC = 3,3 V; CL = 50 PF; RL = Ω 500 | 2,3 | ns | ||
| CMIM | capacidade da entrada | 5 | PF | |
| PALÁDIODE C | capacidade da dissipação de poder pela porta | VCC = 3,3 V; notas 1 e 2 | PF |
