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Mosfet complementar plástico do poder de Darlington, transistor de poder 2N6038 do silicone
Os transistor de poder complementares plásticos do silicone de Darlington são projetados para o amplificador de uso geral e aplicações de comutação low−speed.
• Ganho atual alto de C.C. — hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 CAD
• Tensão de sustentação do Coletor-emissor — @ mAdc 100
VCEO(sus) = 60 VDC (minuto) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC
(Minuto) — 2N6036, 2N6039
• Capacidade atual polarizada da segunda divisão mimS/b = 1,5 CAD @ 25 VDC
• Construção monolítica com os resistores incorporados do emissor de base à multiplicação de LimitELeakage
• Pacote alto do plástico da relação TO-225AA do Desempenho-à-custo da Espaço-economia
| Avaliação | Símbolo | Valor | Unidade |
|
Tensão 2N6034 de Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
VDC |
|
Tensão 2N6034 de Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
VDC |
| Tensão de Emitter−Base | VEBO | 5,0 | VDC |
|
Corrente de coletor contínua Pico |
MIMC |
4,0 8,0 |
CAD Apk |
| Corrente baixa | MIMB | 100 | mAdc |
|
Dissipação total do dispositivo @ TC = 25°C Derate acima de 25°C |
PD |
40 320 |
W mW/°C |
|
Dissipação total do dispositivo @ TC = 25°C Derate acima de 25°C |
PD |
1,5 12 |
W mW/°C |
| Funcionamento e variação da temperatura da junção do armazenamento | TJ, stgde T | – 65 a +150 | °C |
| Característico | Símbolo | Máximo | Unidade |
| Resistência térmica, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
| Resistência térmica, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas são avaliações do esforço somente. A operação funcional acima das condições operacionais recomendadas não é implicada. A exposição prolongada aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo.
| Característico | Símbolo | Minuto | Máximo | Unidade |
| FORA DAS CARACTERÍSTICAS | ||||
|
Tensão de sustentação de Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO(sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
VDC |
|
Corrente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
MIMCEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
A |
|
Corrente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (fora) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
MIMCEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
A |
|
Corrente de Collector−Cutoff (VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039 |
MIMCBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
| Corrente de Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) | MIMEBO | -- | 2,0 | mAdc |
| EM CARACTERÍSTICAS | ||||
|
Ganho atual de C.C. (IC = 0,5 CAD, VCE = 3,0 VDC) (IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) (IC = 4,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15.000 -- |
-- |
|
Tensão de saturação de Collector−Emitter (IC = 2,0 CAD, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40) |
VCE(sentado) |
-- -- |
2,0 3,0 |
VDC |
|
Tensão de saturação de Base−Emitter (IC = 4,0 CAD, IB = mAdc 40) |
VSEJA(sentado) | -- | 4,0 | VDC |
|
Base−Emitter na tensão (IC = 2,0 CAD, VCE = 3,0 VDC) |
VSEJA(sobre) | -- | 2,8 | VDC |
| CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS | ||||
|
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 CAD, VCE = 10 VDC, f = 1,0 megahertz) |
|fede h| | 25 | -- | -- |
|
Capacidade de saída (VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 megahertz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Obde C |
-- -- |
200 100 |
PF |
Dados registrados JEDEC dos *Indicates.
