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Aplicações de baixa frequência encapsuladas plástico do ampère de poder do transistor 2SC2274 de NPN

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Aplicações de baixa frequência encapsuladas plástico do ampère de poder do transistor 2SC2274 de NPN

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Número de modelo :2SC2274
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :20
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :10000
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Alta tensão da divisão :Vceo>=50/80V
Altamente atual :Ic=500mA
Coletor à tensão baixa :60V
Dissipação de poder do coletor :600mW
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Transistor encapsulado plástico de NPNAplicações de baixa frequência encapsuladas plástico do ampère de poder do transistor 2SC2274 de NPN

2SC2274

 
 

CARACTERÍSTICAS

* alta tensão da divisão                                                            

* altamente atual                    

* baixa tensão de saturação

 

 

 

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(1)

Produto-grau 2SC2274-D 2SC2274-E 2SC2274-F
  Escala   60~120   100~200   160~320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta = 25°C salvo disposição em contrário)

   Parâmetro            Símbolo         Avaliação        Unidade
 Coletor à tensão baixa             VCBO            60         V
 Coletor à tensão do emissor              VCEO             50         V
 Emissor à tensão baixa              VEBO              5         V
 Corrente de coletor - contínua               MIMC             0,5         A
 Dissipação de poder do coletor               PC            600        mW
 Resistência térmica da junção a ambiental               RdoθJA            208      °C/W
 Junção, temperatura de armazenamento               TJ, TSTG      150, -55~150          °C

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta = 25°C salvo disposição em contrário)

  Parâmetro   Símbolo   Mínimo.  Tipo.   Máximo. Unidade    Condições de teste
Coletor para basear a tensão de divisão  V(BR)CBO  60

  --

   --   V  MimC=0.01mA, ISTO É =0
Coletor à tensão de divisão do emissor  (BR)CEO V   50    --    --   V  MimC=1mA, IB=0
Emissor para basear a tensão de divisão  V(BR)EBO    5    --    --   V  ISTO É =0.01MA, IC=0
Corrente de interrupção de coletor   MIMCBO    --    --    1   μA  VCB=40V, ISTO É =0
Corrente da interrupção do emissor   MIMEBO    --    --    1   μA  VEB=4V, IC=0
Ganho atual de C.C.

  FEde h(1)

  FEde h(2)

  60

  35

   --

   --

  320

   --

 

 VCE=5V, IC=50mA

 VCE=5V, IC=400mA

Coletor à tensão de saturação do emissor   VCE(sentado)    --    --   0,6   V  MimC=400mA, IB=40mA
Base à tensão do emissor   VSEJA(sentado)    --    --   1,2   V  MimC=400mA, IB=40mA
Frequência da transição    fT    --   120    --   Megahertz  VCE=10V, IC=10mA
Capacidade de saída do coletor    Obde C    --    5    --    PF  VCB=10V, f=1MHz

 

 

 

 

 

 

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