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C.C. da microplaqueta de IC dos componentes do circuito integrado do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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C.C. da microplaqueta de IC dos componentes do circuito integrado do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289

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Número de modelo :SW-289
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :3100pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Muito consumo da baixa potência :µW 100
Baixa perda de inserção :0,5 DB
Isolamento alto :DB 25 até 2 gigahertz
Faixa de temperatura :-40˚C a +85˚C
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C.C. do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289

 

Características

  • Muito consumo da baixa potência: µW 100
  • Baixa perda de inserção: 0,5 DB
  • Isolamento alto: DB 25 até 2 gigahertz
  • Ponto muito alto da intercepção: IP3 de 48 dBm
  • Velocidade de interruptor do nanossegundo
  • Variação da temperatura: -40˚C a +85˚C
  • Pacote do plástico do baixo custo SOIC14
  • Grave e bobine empacotando1 disponível

 

Descrição

M/A-COM SW-289 é um interruptor do GaAs MMIC DPDT em um pacote de superfície do plástico da montagem da ligação do baixo custo SOIC 14. O SW-289 é serido idealmente para o uso onde muito o consumo da baixa potência é com referência a q u mim com referência às aplicações típicas do D. inclui o interruptor da transmissão/recepção, as matrizes de interruptor, atenuador digitais da etapa, e bancos de filtro nos sistemas tais como: equipamento de rádio e celular, PCM, GPS, módulos da fibra ótica, e o outro equipamento de rádio a pilhas.

 

O SW-289 é fabricado com um GaAs monolítico MMIC usando um processo maduro de 1 mícron. O processo caracteriza o passivation completo da microplaqueta para o desempenho e a confiança aumentados. 

 

Especificações elétricas, Ta = +25°C

 Parâmetro          Condições de teste2    Unidade     Mínimo.     Tipo.    Máximo.
 Perda de inserção

   C.C. – 0,1 gigahertz

   C.C. – 0,5 gigahertz

   C.C. – 1,0 gigahertz

   C.C. – 2,0 gigahertz

  DB

  DB

  DB

  DB

 

  0,35

  0,35

   0,4

   0,6

   0,5

   0,5

   0,6

   0,8

  Isolamento

   C.C. – 0,1 gigahertz

   C.C. – 0,1 gigahertz

   C.C. – 1,0 gigahertz

   C.C. – 2,0 gigahertz

  DB

  DB

  DB

  DB

  50

  40

  32

  20

  56

  43

  35

  23

 
  VSWR    C.C. – 2,0 gigahertz     1.3:1    

  Trise, Tfall

  Tonelada, ricalhaço

  Transeuntes

  10% a 90% RF, 90% a 10% RF

  Controle de 50% a 90% RF, controle de 50% a 10% RF

   Na faixa

  nS

  nS

  milivolt

 

  3

  6

  15

 

  Um DB

  Compressão

  Poder de entrada 0,05 gigahertz

  Gigahertz do poder de entrada 0,5 – 2,0

  dBm

  dBm

 

  22

  27

 
  IP2

  Parente medido 0,05 gigahertz

  ao gigahertz do poder de entrada 0,5 – 2,0

  (para o poder de entrada bicolor até o dBm +5)

  dBm

  dBm

  

 

  54

  66

  

 
  IP3

  Parente medido 0,05 gigahertz

  ao gigahertz do poder de entrada 0,5 – 2,0

  (para o poder de entrada bicolor até o dBm +5)

  dBm

  dBm

  

 

  45

  48

  

 

1. Consulte “para gravar e bobinar” seção de empacotamento, ou contacte a fábrica.

2. Todas as medidas com 0, -5 tensões do controle de V em 1 gigahertz em um sistema 50W, salvo disposição em contrário.

 

Máximo absoluto Ratings1

   Parâmetro     Máximo absoluto

 Poder de entrada máximo

 0,05 gigahertz

 0,5 – 2,0 gigahertz

 Controle a tensão

 Temperatura de funcionamento

 Temperatura de armazenamento

 

  dBm +27

  dBm +34

  +5 V, -8,5 V

  -40°C a +85°C

  -65°C a +150°C

1.Operation deste dispositivo acima de algum um destes

   os parâmetros podem causar dano permanente.

 

Diagrama esquemático funcional

C.C. da microplaqueta de IC dos componentes do circuito integrado do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289

 

Desempenho típico

C.C. da microplaqueta de IC dos componentes do circuito integrado do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289

 

 

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