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Anterwell Technology Ltd.

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MissSharon Yang

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C.C. da microplaqueta de IC dos componentes do circuito integrado do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289

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Número de modelo :SW-289

Lugar de origem :Fábrica original

Quantidade de ordem mínima :10pcs

Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte :3100pcs

Tempo de entrega :dia 1

Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes

Muito consumo da baixa potência :µW 100

Baixa perda de inserção :0,5 DB

Isolamento alto :DB 25 até 2 gigahertz

Faixa de temperatura :-40˚C a +85˚C

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C.C. do interruptor do GaAs DPDT - 2 gigahertz SW-289

Características

Muito consumo da baixa potência: µW 100
Baixa perda de inserção: 0,5 DB
Isolamento alto: DB 25 até 2 gigahertz
Ponto muito alto da intercepção: IP₃ de 48 dBm
Velocidade de interruptor do nanossegundo
Variação da temperatura: -40˚C a +85˚C
Pacote do plástico do baixo custo SOIC14
Grave e bobine empacotando¹ disponível

Descrição

M/A-COM SW-289 é um interruptor do GaAs MMIC DPDT em um pacote de superfície do plástico da montagem da ligação do baixo custo SOIC 14. O SW-289 é serido idealmente para o uso onde muito o consumo da baixa potência é com referência a q u mim com referência às aplicações típicas do D. inclui o interruptor da transmissão/recepção, as matrizes de interruptor, atenuador digitais da etapa, e bancos de filtro nos sistemas tais como: equipamento de rádio e celular, PCM, GPS, módulos da fibra ótica, e o outro equipamento de rádio a pilhas.

O SW-289 é fabricado com um GaAs monolítico MMIC usando um processo maduro de 1 mícron. O processo caracteriza o passivation completo da microplaqueta para o desempenho e a confiança aumentados.

**Especificações elétricas, Ta = +25°C**
Parâmetro	Condições de teste²	Unidade	Mínimo.	Tipo.	Máximo.
Perda de inserção	C.C. – 0,1 gigahertz C.C. – 0,5 gigahertz C.C. – 1,0 gigahertz C.C. – 2,0 gigahertz	DB DB DB DB		0,35 0,35 0,4 0,6	0,5 0,5 0,6 0,8
Isolamento	C.C. – 0,1 gigahertz C.C. – 0,1 gigahertz C.C. – 1,0 gigahertz C.C. – 2,0 gigahertz	DB DB DB DB	50 40 32 20	56 43 35 23
VSWR	C.C. – 2,0 gigahertz		1.3:1
Trise, Tfall Tonelada, ricalhaço Transeuntes	10% a 90% RF, 90% a 10% RF Controle de 50% a 90% RF, controle de 50% a 10% RF Na faixa	nS nS milivolt		3 6 15
Um DB Compressão	Poder de entrada 0,05 gigahertz Gigahertz do poder de entrada 0,5 – 2,0	dBm dBm		22 27
IP₂	Parente medido 0,05 gigahertz ao gigahertz do poder de entrada 0,5 – 2,0 (para o poder de entrada bicolor até o dBm +5)	dBm dBm		54 66
IP₃	Parente medido 0,05 gigahertz ao gigahertz do poder de entrada 0,5 – 2,0 (para o poder de entrada bicolor até o dBm +5)	dBm dBm		45 48

1. Consulte “para gravar e bobinar” seção de empacotamento, ou contacte a fábrica.

2. Todas as medidas com 0, -5 tensões do controle de V em 1 gigahertz em um sistema 50W, salvo disposição em contrário.

**Máximo absoluto Ratings1**
Parâmetro	Máximo absoluto
Poder de entrada máximo 0,05 gigahertz 0,5 – 2,0 gigahertz Controle a tensão Temperatura de funcionamento Temperatura de armazenamento	dBm +27 dBm +34 +5 V, -8,5 V -40°C a +85°C -65°C a +150°C

1.Operation deste dispositivo acima de algum um destes

os parâmetros podem causar dano permanente.

Diagrama esquemático funcional

Desempenho típico

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