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2 memória Flash M29F002BB70N1 da fonte do bloco de bota de Mbit 256Kb x8 única

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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2 memória Flash M29F002BB70N1 da fonte do bloco de bota de Mbit 256Kb x8 única

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Número de modelo :M29F002BB70N1
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :5pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :290pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Temperatura sob a polarização :– °C 50 a 125
A temperatura de armazenamento :– °C 65 a 150
Tensão da entrada ou da saída :– 0,6 a 6 V
Tensão de fonte :– 0,6 a 6 V
Tensão da identificação :– 0,6 a 13,5 V
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2 Mbit (256Kb x8, bloco de bota) escolhem a memória Flash da fonte

2 memória Flash M29F002BB70N1 da fonte do bloco de bota de Mbit 256Kb x8 únicaTENSÃO de FONTE do ± 5V 10% do ■ ÚNICA para o PROGRAMA, o ERASE e OPERAÇÕES LIDAS

TEMPO DE ACESSO DO ■: 45 ns

TEMPO DE PROGRAMAÇÃO do ■ – 8 µs pelo byte típico

BLOCOS de MEMÓRIA do ■ 7 – 1 bloco de bota (lugar superior ou inferior) – 2 4 os principais blocos do parâmetro e

 

CONTROLADOR do ■ PROGRAM/ERASE – algoritmo encaixado do programa do byte – algoritmo encaixado do Erase do Multi-bloco/microplaqueta – bocados da votação e do pino de madeira do registro do estado

 

o ERASE do ■ SUSPENDE e RECOMEÇA OS MODOS – lidos e programa um outro bloco durante o Erase suspende

O ■ DESTRAVA o COMANDO do PROGRAMA do DESVIO – uma programação mais rápida da produção/grupo

MODO PROVISÓRIO DO BLOCO UNPROTECTION DO ■

Apoio à espera e automático do CONSUMO da BAIXA POTÊNCIA do ■ –

CICLOS do ■ 100.000 PROGRAM/ERASE pelo BLOCO

■ 20 ANOS de RETENÇÃO dos DADOS – Defectivity abaixo de 1 ppm/ano

ASSINATURA ELETRÔNICA DO ■

– Código do fabricante: 20h 2 memória Flash M29F002BB70N1 da fonte do bloco de bota de Mbit 256Kb x8 única

– Código de dispositivo superior M29F002BT: B0h

– Código de dispositivo superior M29F002BNT: B0h

– Código de dispositivo inferior M29F002BB: 34h

– Código de dispositivo inferior M29F002BNB: 34h

 

DESCRIÇÃO SUMÁRIA

O M29F002B é uma memória permanente de 2 Mbit (256Kb x8) que possa ser lida, apagado e reprogrammed. Estas operações podem ser executadas usando uma única fonte 5V. Na ligação inicial a memória opta seu modo lido onde se pode ler da mesma forma como uma ROM ou uma EPROM. O M29F002B é inteiramente inverso - compatível com o M29F002. A memória é dividida nos blocos que podem ser apagados independentemente assim que é possível preservar dados válidos quando os dados velhos forem apagados. Cada bloco pode ser protegido independentemente para impedir o programa acidental ou para apagar comandos de alterar a memória. Os comandos do programa e do Erase são escritos à relação do comando da memória. Um controlador do programa/Erase da em-microplaqueta simplifica o processo de programar ou de apagar a memória tomando de todas as operações especiais que são exigidas para atualizar os índices da memória. O fim de um programa ou de uma operação do erase pode ser detectado e algumas condições de erro ser identificado. O grupo do comando exigido para controlar a memória é consistente com os padrões de JEDEC.

 

2 memória Flash M29F002BB70N1 da fonte do bloco de bota de Mbit 256Kb x8 única

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