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MOSFET FDV305N de PowerTrench do N-canal do transistor do Mosfet do poder 20V

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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MOSFET FDV305N de PowerTrench do N-canal do transistor do Mosfet do poder 20V

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Número de modelo :FDV305N
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :5pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :290pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
tensão da Dreno-fonte :20 V
Tensão da Porta-Fonte :± 12 V
Dissipação de poder máxima :0,35 W
Corrente de entrada :±5 miliampère
Funcionamento e variação da temperatura da junção do armazenamento :– °C 55 a +150
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MOSFET FDV305N de PowerTrench do N-canal do transistor do Mosfet do poder 20V

MOSFET do  de PowerTrench do N-canal de FDV305N 20V

 

 

Descrição geral

Este MOSFET do N-canal 20V usa o processo de alta tensão do PowerTrench de Fairchild. Foi aperfeiçoado para aplicações da gestão do poder.

 

Aplicações

• Interruptor da carga

• Proteção da bateria

• Gestão do poder MOSFET FDV305N de PowerTrench do N-canal do transistor do Mosfet do poder 20V

 

 

Características

• 0,9 A, 20 V

MΩ 220 do RDS (SOBRE) = @ VGS = 4,5 V

MΩ 300 do RDS (SOBRE) = @ VGS = 2,5 V

• Baixa carga da porta

• Velocidade de interruptor rápida

• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)

 

Avaliações máximas absolutas

Símbolo  Parâmetro  Avaliações  Unidades
VDSS  Tensão da Dreno-fonte 20  V
VGSS   Tensão da Porta-fonte ± 12 V
MIMD 

Corrente do dreno – contínua

                      – Pulsado

0,9

2

A
PD Dissipação de poder máxima  0,35   W
TJ, TSTG  Funcionamento e variação da temperatura da junção do armazenamento – 55 a +150  °C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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