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N - Transistor de efeito de campo P0903BDL do modo do realce do nível da lógica do canal

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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China N - Transistor de efeito de campo P0903BDL do modo do realce do nível da lógica do canal wholesale
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N - Transistor de efeito de campo P0903BDL do modo do realce do nível da lógica do canal
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Número de modelo :P0903BDL
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :5pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :290pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Tensão da Porta-Fonte :20 V
Corrente contínua do dreno :50 A
Dreno pulsado Current1 :200 A
Variação da temperatura de funcionamento da junção & do armazenamento :°C -55 a 150
Temperatura da ligação (1 /16” do argumento para o segundo 10.) :°C 275
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AVALIAÇÕES E CARACTERÍSTICAS do DIODO de SOURCE-DRAIN (TC = °C) 25

Corrente contínua   MIMS       50      A
Corrente pulsada3   MIMMANUTENÇÃO PROGRAMADA       150
Tensão dianteira1 VSD MIMS = 25A, VGS = 0V   0,9 1,3      V
Tempo de recuperação reversa trr MimF = IS, dlF/dt = 100A/µS   70        nS
Corrente de recuperação reversa máxima IRM (REC)   200          A 
Carga reversa da recuperação     0,043        µC

 

 

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

N - Transistor de efeito de campo P0903BDL do modo do realce do nível da lógica do canal

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