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Novo & original 50 TRIAC BTA40-600 do módulo de poder 40A do Mosfet do miliampère

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Novo & original 50 TRIAC BTA40-600 do módulo de poder 40A do Mosfet do miliampère

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Número de modelo :BTA40-600
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :5pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :850pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
ELE (RMS) :40 A
VDRM/VRRM :600 e 800 V
IGT (Q1) :50 miliampères
IGM :8 A
PÁGINA (AVOIRDUPOIS) :1 W
Mim t :880 um s
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TRIAC 40A
 
CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS:Novo & original 50 TRIAC BTA40-600 do módulo de poder 40A do Mosfet do miliampère

   Símbolo             Valor        Unidade
  MIMT(RMS)             40         A
  VDRM/VRRM            600 e 800         V
  MIMGT(Q1)             50        miliampère

 
DESCRIÇÃO
Disponível em pacotes do poder superior, a série de BTA/BTB40-41 é apropriada para a comutação de uso geral da alimentação CA. Podem ser usados como uma função DE LIGAR/DESLIGAR nas aplicações tais como relés estáticos, regulamento de aquecimento, aquecedores de água, motor de indução que liga circuitos, equipamento de soldadura… ou para a operação de controle da fase em controladores da velocidade do motor do poder superior, o começo macio circuita…
 
Agradecimentos a sua técnica do conjunto do grampo, fornecem um desempenho superior na corrente de impulso que segura capacidades.
 
Usando uma almofada cerâmica interna, a série de BTA fornece a tensão aba isolada (avaliada em 2500 V RMS) que cumpre com os padrões do UL (referência do arquivo.: E81734).
 
 
 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

  Símbolo                                              Parâmetro        Valor    Unidade

   MIMT(RMS)
 

  Corrente do em-estado do RMS
  (onda de seno completa)
 

      RD91   Tc = 80°C       40      A
      TOP3
      Ins TOP3.   Tc = 70°C
  MIMTSM

  Em-estado não repetitivo do pico do impulso
 corrente (ciclo completo, inicial de Tj = 25°C)

  F = 60 hertz   t = Senhora 16,7      420      A
  F = 50 hertz    t = Senhora 20      400
   Ele   Mim valor de t para fundir                      tp = Senhora 10       880      Um s
  dI/dt

  Taxa crítica de elevação da corrente do em-estado
  MimG =2xIGT, ≤ 100 ns do tr

  F = 120 hertz   Tj = 125°C       50     A/µs
VDSM/VRSM   Tensão não repetitiva do fora-estado do pico do impulso   tp = Senhora 10   Tj = 25°C

 VDRM/VRRM
    + 100

     V
  MIMGM   Corrente máxima da porta   tp = 20 µs    Tj = 125°C        8      V
  PG(AVOIRDUPOIS)   Dissipação de poder média da porta   Tj = 125°C        1      W

  Stgde T
   Tj

  Variação da temperatura da junção do armazenamento
  Variação da temperatura de funcionamento da junção

 - 40 + a 150
 - 40 + a 125

     °C

 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tj = 25°C, salvo disposição em contrário)

 Símbolo       Condições de teste   Quadrante       Valor    Unidade
  MIMGT (1)   VD = 12 V RL = Ω 33

   I - II - III
      IV

   MÁXIMO.

     50
    100

  miliampère
 

  VGT    TUDO    MÁXIMO.      1,3    V
  VGD  VD = VDRM RL = 3,3 kΩ Tj = 125°C    TUDO     MÍNIMO.      0,2    V
  MIMH (2)  MimT = 500 miliampères     MÁXIMO.      80    miliampère
  MIML  MIMG = 1,2 IGT

  I - III - IV
      II

    MÁXIMO.
 

     70
    160

   miliampère
 dV/dt (2)   VD = porta T aberto de 67% VDRMj = 125°C     MÍNIMO.      500   V/µs
(dV/dt) c (2)   (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C     MÍNIMO.       10   V/µs

 

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